微粒半径及物质熔沸点比较 比较微粒半径大小：
一.原子
1.同一周期，从左到右，主族元素，原子半径逐渐减小
2.同一主族，从上到下，原子半径逐渐增大
二.离子
1.能形成阳离子的元素的微粒半径：原子半径大于阳离子半径。
2.能形成阴离子的元素的微粒半径：阴离子半径大于原子半径。
3.同一主族，无论阴，阳离子，从上到下，离子半径逐渐增大。
4.电子层结构相同的离子，包括所有的阴阳离子，原子序数越大，离子半径越小。 还可以分为以下四种：
（1）层数相同，核大半径小。即电子层数相同时，结构相似的微粒中核电荷数大的微粒半径小。
（2）层异，层大半径大。即当微粒的电子层数不同时，结构相似的微粒中，电子层数大的微粒半径。
（3）核同，价高半径小。即对同一种元素形成的不同的简单微粒中，化合价高的微粒的半径小。
（4）电子层结构相同，核电荷数大，则半径小。
物质熔沸点高低的比较方法
1.不同聚集态的熔沸点
在相同条件下，不同状态的物质的熔、沸点的高低是不同的，一般有：固体>液体>气体。例如：NaBr（固）>Br2>HBr（气）。
2.由周期表看主族单质的熔、沸点
同一主族单质的熔点基本上是越向下金属熔点渐低；而非金属单质熔点、沸点渐高。但碳族元素特殊，即C，Si，Ge，Sn越向下，熔点越低，与金属族相似；还有ⅢA族的镓熔点比铟、铊低；ⅣA族的锡熔点比铅低。
3. 同周期中的几个区域的熔点规律
（1）高熔点单质。
i. C，Si，B三角形小区域，因其为原子晶体，故熔点高，金刚石和石墨的熔点最高大于3550℃。Ii.金属元素的高熔点区在过渡元素的中部和中下部，其最高熔点为钨（3410℃）。
2.低熔点单质。
i.非金属低熔点单质集中于周期表的右和右上方，另有IA的氢气。其中稀有气体熔、沸点均为同周期的最低者，如氦的熔点（－272.2℃，26×105Pa）、沸点（268.9℃）最低。 ii.金属的低熔点区有两处：IA、ⅡB族Zn，Cd，Hg及ⅢA族中Al，Ge，Th；ⅣA族的Sn，Pb；ⅤA族的Sb，Bi，呈三角形分布。最低熔点是Hg(－38.87℃)，近常温呈液态的镓（29.78℃）铯（28.4℃），体温即能使其熔化。
4.不同类型晶体的比较规律
一般来说，不同类型晶体的熔沸点的高低顺序为：原子晶体>离子晶体>分子晶体，而金属晶体的熔沸点有高有低。这是由于不同类型晶体的微粒间作用不同，其熔、沸点也不相同。原子晶体间靠共价键结合，一般熔、沸点最高；离子晶体阴、阳离子间靠离子键结合，一般熔、沸点较高；分子晶体分子间靠范德华力结合，一般熔、沸点较低；金属晶体中金属键的键能有大有小，因而金属晶体熔、沸点有高（如W）有低（如Hg）。例如：金刚石>食盐>干冰。
5.同种类型晶体的比较规律
（1）原子晶体：熔、沸点的高低，取决于共价键的键长和键能，键长越短，键能越大共价键越稳定，物质熔沸点越高，反之越低。如：晶体硅、金刚石和碳化硅三种晶体中，因键长C—C碳化硅>晶体硅。
（2）离子晶体：熔、沸点的高低，取决于离子键的强弱。一般来说，离子半径越小，离子所带电荷越多，离子键就越强，熔、沸点就越高，反之越低。例如：MgO>CaO，NaF>NaCl>NaBr>NaI。KF＞KCl＞KBr＞KI，CaO＞KCl。
（3）金属晶体：金属晶体中金属阳离子所带电荷越多，半径越小，金属阳离子与自由电子静电作用越强，金属键越强，熔沸点越高，反之越低。如：Na＜Mg＜Al，Li>Na>K。 合金的熔沸点一般说比它各组份纯金属的熔沸点低。如铝硅合金＜纯铝（或纯硅）。
（4）分子晶体：熔、沸点的高低，取决于分子间作用力的大小。分子晶体分子间作用力越大物质的熔沸点越高，反之越低。（具有氢键的分子晶体，熔沸点反常地高）如：H2O＞H2Te＞H2Se＞H2S，C2H5OH＞CH3—O—CH3。
i.组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，分子间作用力越强，物质的熔沸点越高。如：CH4＜SiH4＜GeH4＜SnH4。
ii.组成和结构不相似的物质（相对分子质量相近），分子极性越大，其熔沸点就越高。如熔沸点 CO＞N2，CH3OH＞CH3—CH3。
iii.在高级脂肪酸形成的油脂中，不饱和程度越大，熔沸点越低。 如：C17H35COOH＞C17H33COOH；硬脂酸 ＞ 油酸。
iv.烃、卤代烃、醇、醛、羧酸等有机物一般随着分子里碳原子数增加，熔沸 点升高，如C2H6＞CH4， C2H5Cl＞CH3Cl，CH3COOH＞HCOOH。
v.同分异构体：链烃及其衍生物的同分异构体随着支链增多，熔沸点降低。如： CH3(CH2)3CH3 (正)＞CH3CH2CH(CH3)2(异)＞(CH3)4C(新)。
vi.芳香烃的异构体有两个取代基时，熔点按对、邻、间位降低沸点按邻、间、对位降低。
6.某些物质熔沸点高、低的规律性
（1）碱土金属氧化物的熔点均在2000℃以上，比其他族氧化物显著高，所以氧化镁、氧化铝是常用的耐火材料。
（2）卤化钠（离子型卤化物）熔点随卤素的非金属性渐弱而降低。如NaF>NaCl>NaBr>NaI。
（3）杂质影响：一般纯物质的熔点等都比较高。
晶胞的有关计算：体积、微粒数、晶体密度
一、如何利用晶胞参数计算晶胞体积？
平行六面体的几何特征可用边长关系和夹角关系确定。布拉维晶胞的边长与夹角叫做晶胞参数。共有7种不同几何特征的三维晶胞，称为布拉维系，它们的名称、英文名称、符号及几何特征如下：
立方cubic(c)a=b=c,α=β=γ=90°,(只有一个晶胞参数a)
四方tetragonal(t)a=b≠c,α=β=γ=90°,(有2个晶胞参数a和c)
六方hexagonal(h)a=b≠c,α=β=90°,γ=120°,(有2个晶胞参数a和c)
正交orthorhombic(o)a≠b≠c,α=γ=90°,(有3个晶胞参数a,b和c)
单斜monoclinic(m)a≠b≠c,α=γ=90°,β≠90°,(有4个晶胞参数a,b,c和β) 三斜anorthic(a)a≠b≠c,α≠β≠γ,(有6个晶胞参数a,b,c,α,β和γ)
菱方rhombohedral(R)a=b=c,α=β=γ≠90°,(有2个晶胞参数a和α)
六方a^2Xcsin120
正交V=abc
单斜V=abcsinβ
三斜V=abc(1-cos2α-cos2β-cos2γ+2cosαcosβcosγ)
菱方V=a^3(1-3cos2α+2(cosα)^3)
二、均摊法---计算晶胞中的粒子数
位于晶胞顶点的微粒,实际提供给晶胞的只有1/8;
位于晶胞棱边的微粒,实际提供给晶胞的只有1/4;
位于晶胞面心的微粒,实际提供给晶胞的只有1/2;
位于晶胞中心的微粒,实际提供给晶胞的只有1.
三、晶胞的密度计算
1） 利用晶胞参数可计算晶胞体积(V)，根据相对分子质量(M)、晶胞中粒子数(Z)和阿伏伽德罗NA，可计算晶体的密度： MZNAV
微粒半径及物质熔沸点比较 比较微粒半径大小：
一.原子
1.同一周期，从左到右，主族元素，原子半径逐渐减小
2.同一主族，从上到下，原子半径逐渐增大
二.离子
1.能形成阳离子的元素的微粒半径：原子半径大于阳离子半径。
2.能形成阴离子的元素的微粒半径：阴离子半径大于原子半径。
3.同一主族，无论阴，阳离子，从上到下，离子半径逐渐增大。
4.电子层结构相同的离子，包括所有的阴阳离子，原子序数越大，离子半径越小。 还可以分为以下四种：
（1）层数相同，核大半径小。即电子层数相同时，结构相似的微粒中核电荷数大的微粒半径小。
（2）层异，层大半径大。即当微粒的电子层数不同时，结构相似的微粒中，电子层数大的微粒半径。
（3）核同，价高半径小。即对同一种元素形成的不同的简单微粒中，化合价高的微粒的半径小。
（4）电子层结构相同，核电荷数大，则半径小。
物质熔沸点高低的比较方法
1.不同聚集态的熔沸点
在相同条件下，不同状态的物质的熔、沸点的高低是不同的，一般有：固体>液体>气体。例如：NaBr（固）>Br2>HBr（气）。
2.由周期表看主族单质的熔、沸点
同一主族单质的熔点基本上是越向下金属熔点渐低；而非金属单质熔点、沸点渐高。但碳族元素特殊，即C，Si，Ge，Sn越向下，熔点越低，与金属族相似；还有ⅢA族的镓熔点比铟、铊低；ⅣA族的锡熔点比铅低。
3. 同周期中的几个区域的熔点规律
（1）高熔点单质。
i. C，Si，B三角形小区域，因其为原子晶体，故熔点高，金刚石和石墨的熔点最高大于3550℃。Ii.金属元素的高熔点区在过渡元素的中部和中下部，其最高熔点为钨（3410℃）。
2.低熔点单质。
i.非金属低熔点单质集中于周期表的右和右上方，另有IA的氢气。其中稀有气体熔、沸点均为同周期的最低者，如氦的熔点（－272.2℃，26×105Pa）、沸点（268.9℃）最低。 ii.金属的低熔点区有两处：IA、ⅡB族Zn，Cd，Hg及ⅢA族中Al，Ge，Th；ⅣA族的Sn，Pb；ⅤA族的Sb，Bi，呈三角形分布。最低熔点是Hg(－38.87℃)，近常温呈液态的镓（29.78℃）铯（28.4℃），体温即能使其熔化。
4.不同类型晶体的比较规律
一般来说，不同类型晶体的熔沸点的高低顺序为：原子晶体>离子晶体>分子晶体，而金属晶体的熔沸点有高有低。这是由于不同类型晶体的微粒间作用不同，其熔、沸点也不相同。原子晶体间靠共价键结合，一般熔、沸点最高；离子晶体阴、阳离子间靠离子键结合，一般熔、沸点较高；分子晶体分子间靠范德华力结合，一般熔、沸点较低；金属晶体中金属键的键能有大有小，因而金属晶体熔、沸点有高（如W）有低（如Hg）。例如：金刚石>食盐>干冰。
5.同种类型晶体的比较规律
（1）原子晶体：熔、沸点的高低，取决于共价键的键长和键能，键长越短，键能越大共价键越稳定，物质熔沸点越高，反之越低。如：晶体硅、金刚石和碳化硅三种晶体中，因键长C—C碳化硅>晶体硅。
（2）离子晶体：熔、沸点的高低，取决于离子键的强弱。一般来说，离子半径越小，离子所带电荷越多，离子键就越强，熔、沸点就越高，反之越低。例如：MgO>CaO，NaF>NaCl>NaBr>NaI。KF＞KCl＞KBr＞KI，CaO＞KCl。
（3）金属晶体：金属晶体中金属阳离子所带电荷越多，半径越小，金属阳离子与自由电子静电作用越强，金属键越强，熔沸点越高，反之越低。如：Na＜Mg＜Al，Li>Na>K。 合金的熔沸点一般说比它各组份纯金属的熔沸点低。如铝硅合金＜纯铝（或纯硅）。
（4）分子晶体：熔、沸点的高低，取决于分子间作用力的大小。分子晶体分子间作用力越大物质的熔沸点越高，反之越低。（具有氢键的分子晶体，熔沸点反常地高）如：H2O＞H2Te＞H2Se＞H2S，C2H5OH＞CH3—O—CH3。
i.组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，分子间作用力越强，物质的熔沸点越高。如：CH4＜SiH4＜GeH4＜SnH4。
ii.组成和结构不相似的物质（相对分子质量相近），分子极性越大，其熔沸点就越高。如熔沸点 CO＞N2，CH3OH＞CH3—CH3。
iii.在高级脂肪酸形成的油脂中，不饱和程度越大，熔沸点越低。 如：C17H35COOH＞C17H33COOH；硬脂酸 ＞ 油酸。
iv.烃、卤代烃、醇、醛、羧酸等有机物一般随着分子里碳原子数增加，熔沸 点升高，如C2H6＞CH4， C2H5Cl＞CH3Cl，CH3COOH＞HCOOH。
v.同分异构体：链烃及其衍生物的同分异构体随着支链增多，熔沸点降低。如： CH3(CH2)3CH3 (正)＞CH3CH2CH(CH3)2(异)＞(CH3)4C(新)。
vi.芳香烃的异构体有两个取代基时，熔点按对、邻、间位降低沸点按邻、间、对位降低。
6.某些物质熔沸点高、低的规律性
（1）碱土金属氧化物的熔点均在2000℃以上，比其他族氧化物显著高，所以氧化镁、氧化铝是常用的耐火材料。
（2）卤化钠（离子型卤化物）熔点随卤素的非金属性渐弱而降低。如NaF>NaCl>NaBr>NaI。
（3）杂质影响：一般纯物质的熔点等都比较高。
晶胞的有关计算：体积、微粒数、晶体密度
一、如何利用晶胞参数计算晶胞体积？
平行六面体的几何特征可用边长关系和夹角关系确定。布拉维晶胞的边长与夹角叫做晶胞参数。共有7种不同几何特征的三维晶胞，称为布拉维系，它们的名称、英文名称、符号及几何特征如下：
立方cubic(c)a=b=c,α=β=γ=90°,(只有一个晶胞参数a)
四方tetragonal(t)a=b≠c,α=β=γ=90°,(有2个晶胞参数a和c)
六方hexagonal(h)a=b≠c,α=β=90°,γ=120°,(有2个晶胞参数a和c)
正交orthorhombic(o)a≠b≠c,α=γ=90°,(有3个晶胞参数a,b和c)
单斜monoclinic(m)a≠b≠c,α=γ=90°,β≠90°,(有4个晶胞参数a,b,c和β) 三斜anorthic(a)a≠b≠c,α≠β≠γ,(有6个晶胞参数a,b,c,α,β和γ)
菱方rhombohedral(R)a=b=c,α=β=γ≠90°,(有2个晶胞参数a和α)
六方a^2Xcsin120
正交V=abc
单斜V=abcsinβ
三斜V=abc(1-cos2α-cos2β-cos2γ+2cosαcosβcosγ)
菱方V=a^3(1-3cos2α+2(cosα)^3)
二、均摊法---计算晶胞中的粒子数
位于晶胞顶点的微粒,实际提供给晶胞的只有1/8;
位于晶胞棱边的微粒,实际提供给晶胞的只有1/4;
位于晶胞面心的微粒,实际提供给晶胞的只有1/2;
位于晶胞中心的微粒,实际提供给晶胞的只有1.
三、晶胞的密度计算
1） 利用晶胞参数可计算晶胞体积(V)，根据相对分子质量(M)、晶胞中粒子数(Z)和阿伏伽德罗NA，可计算晶体的密度： MZNAV