项目名称：
推荐单位：
项目简介：一维纳米半导体材料的可控生长及其机理浙江省
代表性论文专著目
录（不超过8篇）:
主要完成人：1. 姓名：杨德仁
技术职称：正高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：项目负责人，负责项目的方案设计和技术路线等。是所有代表性论文以及核心论文1-19的通讯作者，是创新点1、2、3、4主要贡献者之
一。（1）在国际上首先制备了纳米硅管；（2）在国际上首次合成了纳米硒管；（3）发明了碳纳米管辅助静电诱导自组装生长多孔氧化物半导体纳米管的新方法；（4）发明了无毒、廉价修饰剂诱导生长硫化物半导体一维纳米材料新方法。参与本项目工作量占本人总工作量的50%。
曾获国家科技奖励情况：2005年 国家自然科学二等奖，“掺氮直拉硅单晶氮及相关缺陷的研究”，排名第1，2005-Z-108-2-02-R01
2. 姓名：张辉
技术职称：副高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：是代表性论文2、5、6、7的第一作者，是创新点2、3、4的主要贡献者之一。（1）提出水热和声化学相结合的技术，在国际上首次合成了硒纳米管；（2）发明了碳纳米管辅助静电诱导自组装生长多孔氧化物半导体纳米管的新方法；（3）发明了无毒、廉价修饰剂诱导生长硫化物和氧化物半导体一维纳米材料新方法。参与本项目工作量占本人总工作量的80%。
曾获国家科技奖励情况：无
3. 姓名：杜宁
技术职称：副高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：是代表性论文3、4、8的第一作者，是创新点3的主要贡献者之一。发明了碳纳米管辅助静电诱导自组装生长多孔氧化物半导体纳米管的新方法。参与本项目工作量占本人总工作量的80%。
曾获国家科技奖励情况：无
4. 姓名：沙健
技术职称：正高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：是代表性论文1的第一作者，是创新点1的主要贡献者之一。主要参与运用半封闭环金属催化新策略，利用模板辅助化学气相沉积法，在国际上首先制备出纳米硅管。项目工作量占本人总工作量的30%。
曾获国家科技奖励情况：无
5. 姓名：马向阳
技术职称：正高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：主要参与创新点1、2、3、4的研究工作，是所有代表性论文的主要作者之一。参与硅纳米管、硒纳米管、氧化物和硫化物半导体纳米线的制备及机理讨论、论文撰写等研究工作。参与本项目工作量占本人总工作量的20%。
曾获国家科技奖励情况：2005年 国家自然科学二等奖，“掺氮直拉硅单晶氮及相关缺陷的研究”，排名第2，2005-Z-108-2-02-R02
国家科学技术奖励工作办公室
项目名称：
推荐单位：
项目简介：一维纳米半导体材料的可控生长及其机理浙江省
代表性论文专著目
录（不超过8篇）:
主要完成人：1. 姓名：杨德仁
技术职称：正高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：项目负责人，负责项目的方案设计和技术路线等。是所有代表性论文以及核心论文1-19的通讯作者，是创新点1、2、3、4主要贡献者之
一。（1）在国际上首先制备了纳米硅管；（2）在国际上首次合成了纳米硒管；（3）发明了碳纳米管辅助静电诱导自组装生长多孔氧化物半导体纳米管的新方法；（4）发明了无毒、廉价修饰剂诱导生长硫化物半导体一维纳米材料新方法。参与本项目工作量占本人总工作量的50%。
曾获国家科技奖励情况：2005年 国家自然科学二等奖，“掺氮直拉硅单晶氮及相关缺陷的研究”，排名第1，2005-Z-108-2-02-R01
2. 姓名：张辉
技术职称：副高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：是代表性论文2、5、6、7的第一作者，是创新点2、3、4的主要贡献者之一。（1）提出水热和声化学相结合的技术，在国际上首次合成了硒纳米管；（2）发明了碳纳米管辅助静电诱导自组装生长多孔氧化物半导体纳米管的新方法；（3）发明了无毒、廉价修饰剂诱导生长硫化物和氧化物半导体一维纳米材料新方法。参与本项目工作量占本人总工作量的80%。
曾获国家科技奖励情况：无
3. 姓名：杜宁
技术职称：副高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：是代表性论文3、4、8的第一作者，是创新点3的主要贡献者之一。发明了碳纳米管辅助静电诱导自组装生长多孔氧化物半导体纳米管的新方法。参与本项目工作量占本人总工作量的80%。
曾获国家科技奖励情况：无
4. 姓名：沙健
技术职称：正高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：是代表性论文1的第一作者，是创新点1的主要贡献者之一。主要参与运用半封闭环金属催化新策略，利用模板辅助化学气相沉积法，在国际上首先制备出纳米硅管。项目工作量占本人总工作量的30%。
曾获国家科技奖励情况：无
5. 姓名：马向阳
技术职称：正高级
工作单位：浙江大学
对本项目主要学术贡献：主要参与创新点1、2、3、4的研究工作，是所有代表性论文的主要作者之一。参与硅纳米管、硒纳米管、氧化物和硫化物半导体纳米线的制备及机理讨论、论文撰写等研究工作。参与本项目工作量占本人总工作量的20%。
曾获国家科技奖励情况：2005年 国家自然科学二等奖，“掺氮直拉硅单晶氮及相关缺陷的研究”，排名第2，2005-Z-108-2-02-R02
国家科学技术奖励工作办公室