阻燃论文
题目：石墨烯的制备及其复合材料热性质
报告人：姓名
学号
班级
指导教师：
石墨烯制备及其复合材料热性质
摘要：本文对石墨烯进行了概述，并简要介绍了其制备方法。并对其改性环氧树脂的热性能进行了表征。
关键词：石墨烯，制备，热性能；
Abstract：In this paper, grapheme and several synthetic methods were briefly
introduced. Thermal properties of graphene and epoxy resin composites were discussed subsequently.
Keywords: graphene, synthesis,thermal properties;
1. 石墨烯概述
石墨晶体是制备可膨胀石墨和氧化石墨烯的主要原料。
石墨晶体是由碳元素组成的六角网平面层状结构，同层的碳原子以sp2杂化形成共价键，每一个碳原子以三个共价键与另外三个原子相连。六个碳原子在同一个平面上形成了正六边形的环，伸展成片层结构，这里C-C键的键长为142pm。在同一平面的碳原子还各剩下一个p轨道，它们相互重叠。电子比较自由，相当于金属中的自由电子，所以石墨能导热和导电。石墨晶体中层与层之间相隔340pm，距离较大，是以范德华力结合起来的。同一平面层上的碳原子间结合很强，但层与层间的范德华力很弱。
石墨烯因其独特的性能引起了科学家的广泛关注和极大的兴趣,
被预测
很有可能在很多领域引起革命性变化。单层石墨烯以二维晶体结构存在,厚度只有0.334nm,它是构筑其它维度炭质材料的基本单元,它可以包裹起来形成零维的富勒烯,卷起来形成一维的碳纳米管,层层堆积形成三维的石墨。石墨烯是一种没有能隙的半导体,具有比硅高100倍的载流子迁移率
（2*105cm2/V）,在室温下具有微米级自由程和大的相干长度,因此石墨烯是纳米电路的理想材料。石墨烯具有良好的导热性、高强度（110GPa）和超大的比表面积（2630m2/g）。这些优异的性能使得石墨烯在纳米电子器件、气体传感器、能量存储及复合材料等领域有光明的应用前景。
经研究发现,合成石墨烯的方法已有很多,例如微机械剥离、化学气相沉积、氧化还原,以及最新溶剂剥离和溶剂热法,其中氧化还原法以其简单和多元化的工艺,成为制备石墨烯及功能化石墨烯的最佳方法。近年来的研究表明,石墨烯的功能化解决了石墨烯自身难加工的特性,开拓了石墨烯的应用领域,使其具有许多优异的力学、热学、电学和化学性能,引起了整个科学界的关注,取得了重大成果。本文着重介绍了几种制备石墨烯方法，并总结了这些方法的实质,为规模化制备高质量石墨烯提出了新思路,并引用了大量
【1】 最新的参考文献介绍石墨烯的功能化和近期应用概况。
2. 石墨烯的制备
2.1 外延生长法【2】
外延生长法是利用生长基质的结构“种”出石墨烯。以含碳的钉单晶在超高真空环境下高温退火处理，
使碳元素向晶体表面偏析形成外延单层石墨
烯薄膜，通过优化生长条件获得了理想的毫米级外延石墨烯二维单晶材料。
2.1.1 实验步骤
1、预处理：将含碳Ru单晶置于高真空环境下周期性处理，制得表面光滑洁净的Ru-C晶体。
2、石墨烯表面生长：用高纯度乙醇和丙酮超声清洗表面有机污染物，在氩气真空氛围下溅射。在压力不高于1*10-7Pa下，缓慢加热至1000K，保持20min，再缓慢降温至室温。得到外延生长单层石墨烯的晶体。
2.1.2 外延生长法分析
(a)中看出照片中样品直径8mm，(b)-(f)都是呈六角形晶点分布，表示生长在Ru表面的石墨烯片层。其中(b)和(f)是在晶体边缘拍摄的，晶点薄弱；(c),(d),(e)的晶点较为明显。说明石墨烯片层在晶体边缘生长较少。
低能电子衍射结果证实了石墨烯样品毫米级的高度有序性。这种高质量石墨烯的获得，为石墨烯基础问题的深入研究及其进一步在器件方面的应用提供了一种新方法和理想体系。但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的粘合会影响碳层的特性。
2.2 化学气相沉积法【3】
化学气相沉积法（Chemical vapor deposition，CVD）法可获得大面积，厚度可控的高质量石墨烯，并与现有的半导体制造工艺兼容。
2.2.1 实验步骤
1、物理气相沉积法，Au作为催化剂在Si基底上沉积上ZnS固体。
2、在水平石英管中，通入氩气氢气比例1:1的混合气30min以除去管内空
气。当石英管中心达到750℃时，用1:1氩气氢气混合气作为载流气体，甲烷作为碳源，按照氩气氢气甲烷1:1:2的比例通入，持续8min。停止通入甲烷。氢气氛围下，石英管冷却至室温。
3、将制得的Si/ZnS/Graphen基材浸入0.1M盐酸溶液30min，蒸馏水洗至中 性。120℃下烘干2h。
2.2.2 CVD法分析
此法制得的样品未经强烈的机械力以及化学药品的处理，从而保证了石墨烯样品的结晶完整度，以期获得高导电性和高机械性能的石墨烯片。模板-CVD法的提出，使得大规模可控地合成具有规则形貌的石墨烯成为现实。
2.3 氧化石墨还原法
氧化石墨还原法是以鳞片石墨为原料，经过一系列的氧化获得氧化石墨，氧化石墨再经还原而获得石墨烯的方法。纳米电子器件、场效应晶体管等领域。鉴于Hummers法制备氧化石墨耗时，且对其官能团的功能化难以控制，参考文献中以BPO为氧化剂，利用BPO的插入作用，可制得氧化石墨烯。
2.3.1 实验步骤
1、0.5g天然石墨和10gBPO混合，110℃下加热10min。冷却至室温，用蒸馏水洗至中性，真空干燥。
2、100mg氧化石墨烯在100ml蒸馏水中超声分散1h。
3、分散液中加入200mgNaBH4，搅拌30min，在125℃下反应3h。即可制得石墨烯。
2.3.2 氧化还原法实验分析
氧化石墨烯薄片可以溶于不同的溶剂，扩大了石墨烯的应用领域。
但是
氧化石墨还原法制备的石墨烯也存在一定缺陷：经过强氧化剂氧化过的石墨并不一定能够完全还原，存在五元环、七元环等拓扑结构的缺陷，导致其一些物理、化学等性能损失，尤其是导电性。但是这种方法简便且成本较低，可实现石墨烯的批量生产。
2.4 剥离-再嵌入一扩涨法【5】
2.4.1 实验步骤
1、将可膨胀石墨在气体氛围下60s内加热至1000℃，接着用发烟硫酸氧化24h。
2、过滤洗涤后将样品置于DMF和TBA的混合液中超声5min；样品放置3天，使TBA完全进入石墨层间。于甲氧基聚乙二醇磷脂酰乙醇胺中超声1h，即可制得石墨烯片。
2.4.2 实验分析
氧化石墨还原法制备石墨烯过程中，天然石墨难以完全氧化．所制备的样品导电性差。剥离-再嵌入-扩涨法制备的石墨烯在有机溶剂中稳定悬浮，室温及低温下表现出极高的导电性，比通常用还原氧化石墨方法获得的石墨烯的电导高两个数量级。制得的石墨烯通过LB膜组装技术，将悬浮在溶剂里的石墨烯一层一层地转移到固体表面，制成大面积的透明导电膜。高质量石墨烯及其LB膜的制备对未来石墨烯的大规模应用具有重要意义。然而在制备单层高导电性的石墨烯及批量化生产方面有待进一步研究。
2.5 碳纳米管剥离法制备石墨烯带
2.5.1 实验步骤
1、制得碳纳米管、含500%KMnO4的浓硫酸的悬浮溶液，22℃反应1h，然后在55-70℃下继续反应1h。
2、剥离作用机理如下图示意，在较温和条件下沿轴向打开碳纳米管。
2.5.2 实验分析
文献中方法剥离出的石墨烯带较宽，约为100~500nm，虽不是半导体，但更容易大规模制造。这种微观丝带能用来制造太阳能电池板、可弯曲的触摸显示屏，还能够制成轻薄、导电的纤维，以取代在飞机和宇宙飞船上使用的笨重铜线。石墨烯微观上窄带（10~20nm）具有导电性能，因此在电子工业将具有广泛用途，研究人员已使用石墨烯带制造出了基本的晶体管。
3. 石墨烯复合材料热性质表征【7】
3.1 石墨烯和环氧树脂复合材料制备
1、10g石墨烯，160ml硝酸，85g氯酸盐室温下混合，搅拌24h，200ml/次5%盐酸洗涤5次，1L/次蒸馏水洗涤7次。除去酸和盐杂质后，60℃下干燥沉淀。外加电压下通入氨气，形成稳定胶质。过滤，60℃下烘干2h除去挥发性气体。
2、制得的GO研磨粘附于少量丙酮中，按比例加入固化剂。将混合物加入到丙酮中，30W下超声分散半小时。再转移至稀释后的环氧树脂中，在12W下，超声分散3h，最后置于高剪切速率下10h。
3、将（2）中制得的混合物在真空体系下12h，除去残余溶剂。放入金属模具中177℃下模制2.5h，再继续反应2h进一步固化。
4、采用上述方法制备天然石墨-环氧树脂、碳纳米管-环氧树脂复合材料和GO填料的质量分数分别为1%和5%的复合材料。
3.2 热性质表征
3.2.1 导热系数
图8中看出，环氧树脂导热系数很差，还不到0.20W/m·K，少量GO可以明显改善环氧树脂的导热系数；比较填料质量分数同为1%的复合材料，GO对环氧树脂的改性较碳纳米管明显。导热系数的表征说明界面层GO是一种十分有前景的散热材料。
3.2.2 热膨胀系数比较
在玻璃化转变温度以下时，纯的环氧树脂热膨胀系数（CTE）约为
8.2*10-5/℃，添加了天然石墨的复合材料并未明显降低CTE；碳纳米管和GO的添加可以有效降低复合材料的CTE；其中，添加了5%GO的复合材料效果最为明显。在玻璃化转变温度以上，填料对环氧树脂热膨胀系数没有明显的影响作用。
3.2.3 热流量比较
嵌入了纳米材料的环氧树脂在固化过程中，嵌入的纳米材料部分影响了高分子链增长和链转移，这两种作用的平衡影响了复合材料的玻璃化转变。如果嵌入段对链转移有促进作用，降低了玻璃化温度；反之，玻璃化转变温度生高。
图10中可以看出，添加了碳纳米管和GO的环氧树脂玻璃化转变温度略有下降；但是从反应机理上来讲，GO中的羟基和环氧基叶参与固化反应，是反应过程变得更为复杂。
升温速率为5℃/min的差示扫描量热法（DSC）的表征结果显示，纯环氧树脂的热焓为343J/g；添加了1%碳纳米管的环氧树脂热焓为321J/g，降低了6%；添加了1%GO的环氧树脂固化时热焓为346J/g，并未影响环氧树脂的热焓变。
3.3 小结
本文对石墨烯改性环氧树脂做了热性能的表征，但石墨烯并未在阻燃方面表现出明显优势；而且本文并未对石墨烯改性后的复合材料力学性能进行表征，是本文的缺陷所在。
石墨烯的阻燃性能和其阻燃机理尚在研究之中。但石墨烯作为一种新兴的未来材料，其作用和价值是不容忽视的。
参考文献：
【1】张伟娜，何伟，张新荔. 石墨烯的制备方法及其应用[J]. 化工新型材料，2010（04）；
【2】Pan Y, Zhang H, et al. Highly ordered , millimeterscale , continuous, single-crystalline graphene monolayer formed on Ru(0001)[J]. Adv Mater, 2009,21;2777-2780.
【3】Dacheng Wei, et al. Scalable synthesis of few-Layer graphene ribbons with controlled morphologies by a template method and their applications in nano-electromechanical switches[]]. J Am Chem Soc. 2009, 131(31):11147-11164.
【4】Shen J, Hu Y, ShiM,et al. Fast and facile preparation of graphene oxide and reduced graphene oxide nanoplatelets [J]. Chem Mater,2009, 21(15),3514-3520.
【5】Li X, Zhang G, et al. Highly conducting graphene sheets any Langmuir-Blodgett films [J]. Nature Nanotechnology, 2008. 3:538-542.
【6】Dmitry V, Kosynkinl A. L, Higginlwtharn J,et al. Longitudinal unzipping of carbon nanotuhes to form graphene nanoribbons [J].Nature. 2009,458:872-876
【7】Shiren Wang, Madhava Tambraparni, Jingjing Qiu, John Tipton,and Derrick Dean.
Thermal Expansion of Graphene Composites[J]. Macromolecules, 2009, 42 (14), 5251–5255
阻燃论文
题目：石墨烯的制备及其复合材料热性质
报告人：姓名
学号
班级
指导教师：
石墨烯制备及其复合材料热性质
摘要：本文对石墨烯进行了概述，并简要介绍了其制备方法。并对其改性环氧树脂的热性能进行了表征。
关键词：石墨烯，制备，热性能；
Abstract：In this paper, grapheme and several synthetic methods were briefly
introduced. Thermal properties of graphene and epoxy resin composites were discussed subsequently.
Keywords: graphene, synthesis,thermal properties;
1. 石墨烯概述
石墨晶体是制备可膨胀石墨和氧化石墨烯的主要原料。
石墨晶体是由碳元素组成的六角网平面层状结构，同层的碳原子以sp2杂化形成共价键，每一个碳原子以三个共价键与另外三个原子相连。六个碳原子在同一个平面上形成了正六边形的环，伸展成片层结构，这里C-C键的键长为142pm。在同一平面的碳原子还各剩下一个p轨道，它们相互重叠。电子比较自由，相当于金属中的自由电子，所以石墨能导热和导电。石墨晶体中层与层之间相隔340pm，距离较大，是以范德华力结合起来的。同一平面层上的碳原子间结合很强，但层与层间的范德华力很弱。
石墨烯因其独特的性能引起了科学家的广泛关注和极大的兴趣,
被预测
很有可能在很多领域引起革命性变化。单层石墨烯以二维晶体结构存在,厚度只有0.334nm,它是构筑其它维度炭质材料的基本单元,它可以包裹起来形成零维的富勒烯,卷起来形成一维的碳纳米管,层层堆积形成三维的石墨。石墨烯是一种没有能隙的半导体,具有比硅高100倍的载流子迁移率
（2*105cm2/V）,在室温下具有微米级自由程和大的相干长度,因此石墨烯是纳米电路的理想材料。石墨烯具有良好的导热性、高强度（110GPa）和超大的比表面积（2630m2/g）。这些优异的性能使得石墨烯在纳米电子器件、气体传感器、能量存储及复合材料等领域有光明的应用前景。
经研究发现,合成石墨烯的方法已有很多,例如微机械剥离、化学气相沉积、氧化还原,以及最新溶剂剥离和溶剂热法,其中氧化还原法以其简单和多元化的工艺,成为制备石墨烯及功能化石墨烯的最佳方法。近年来的研究表明,石墨烯的功能化解决了石墨烯自身难加工的特性,开拓了石墨烯的应用领域,使其具有许多优异的力学、热学、电学和化学性能,引起了整个科学界的关注,取得了重大成果。本文着重介绍了几种制备石墨烯方法，并总结了这些方法的实质,为规模化制备高质量石墨烯提出了新思路,并引用了大量
【1】 最新的参考文献介绍石墨烯的功能化和近期应用概况。
2. 石墨烯的制备
2.1 外延生长法【2】
外延生长法是利用生长基质的结构“种”出石墨烯。以含碳的钉单晶在超高真空环境下高温退火处理，
使碳元素向晶体表面偏析形成外延单层石墨
烯薄膜，通过优化生长条件获得了理想的毫米级外延石墨烯二维单晶材料。
2.1.1 实验步骤
1、预处理：将含碳Ru单晶置于高真空环境下周期性处理，制得表面光滑洁净的Ru-C晶体。
2、石墨烯表面生长：用高纯度乙醇和丙酮超声清洗表面有机污染物，在氩气真空氛围下溅射。在压力不高于1*10-7Pa下，缓慢加热至1000K，保持20min，再缓慢降温至室温。得到外延生长单层石墨烯的晶体。
2.1.2 外延生长法分析
(a)中看出照片中样品直径8mm，(b)-(f)都是呈六角形晶点分布，表示生长在Ru表面的石墨烯片层。其中(b)和(f)是在晶体边缘拍摄的，晶点薄弱；(c),(d),(e)的晶点较为明显。说明石墨烯片层在晶体边缘生长较少。
低能电子衍射结果证实了石墨烯样品毫米级的高度有序性。这种高质量石墨烯的获得，为石墨烯基础问题的深入研究及其进一步在器件方面的应用提供了一种新方法和理想体系。但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的粘合会影响碳层的特性。
2.2 化学气相沉积法【3】
化学气相沉积法（Chemical vapor deposition，CVD）法可获得大面积，厚度可控的高质量石墨烯，并与现有的半导体制造工艺兼容。
2.2.1 实验步骤
1、物理气相沉积法，Au作为催化剂在Si基底上沉积上ZnS固体。
2、在水平石英管中，通入氩气氢气比例1:1的混合气30min以除去管内空
气。当石英管中心达到750℃时，用1:1氩气氢气混合气作为载流气体，甲烷作为碳源，按照氩气氢气甲烷1:1:2的比例通入，持续8min。停止通入甲烷。氢气氛围下，石英管冷却至室温。
3、将制得的Si/ZnS/Graphen基材浸入0.1M盐酸溶液30min，蒸馏水洗至中 性。120℃下烘干2h。
2.2.2 CVD法分析
此法制得的样品未经强烈的机械力以及化学药品的处理，从而保证了石墨烯样品的结晶完整度，以期获得高导电性和高机械性能的石墨烯片。模板-CVD法的提出，使得大规模可控地合成具有规则形貌的石墨烯成为现实。
2.3 氧化石墨还原法
氧化石墨还原法是以鳞片石墨为原料，经过一系列的氧化获得氧化石墨，氧化石墨再经还原而获得石墨烯的方法。纳米电子器件、场效应晶体管等领域。鉴于Hummers法制备氧化石墨耗时，且对其官能团的功能化难以控制，参考文献中以BPO为氧化剂，利用BPO的插入作用，可制得氧化石墨烯。
2.3.1 实验步骤
1、0.5g天然石墨和10gBPO混合，110℃下加热10min。冷却至室温，用蒸馏水洗至中性，真空干燥。
2、100mg氧化石墨烯在100ml蒸馏水中超声分散1h。
3、分散液中加入200mgNaBH4，搅拌30min，在125℃下反应3h。即可制得石墨烯。
2.3.2 氧化还原法实验分析
氧化石墨烯薄片可以溶于不同的溶剂，扩大了石墨烯的应用领域。
但是
氧化石墨还原法制备的石墨烯也存在一定缺陷：经过强氧化剂氧化过的石墨并不一定能够完全还原，存在五元环、七元环等拓扑结构的缺陷，导致其一些物理、化学等性能损失，尤其是导电性。但是这种方法简便且成本较低，可实现石墨烯的批量生产。
2.4 剥离-再嵌入一扩涨法【5】
2.4.1 实验步骤
1、将可膨胀石墨在气体氛围下60s内加热至1000℃，接着用发烟硫酸氧化24h。
2、过滤洗涤后将样品置于DMF和TBA的混合液中超声5min；样品放置3天，使TBA完全进入石墨层间。于甲氧基聚乙二醇磷脂酰乙醇胺中超声1h，即可制得石墨烯片。
2.4.2 实验分析
氧化石墨还原法制备石墨烯过程中，天然石墨难以完全氧化．所制备的样品导电性差。剥离-再嵌入-扩涨法制备的石墨烯在有机溶剂中稳定悬浮，室温及低温下表现出极高的导电性，比通常用还原氧化石墨方法获得的石墨烯的电导高两个数量级。制得的石墨烯通过LB膜组装技术，将悬浮在溶剂里的石墨烯一层一层地转移到固体表面，制成大面积的透明导电膜。高质量石墨烯及其LB膜的制备对未来石墨烯的大规模应用具有重要意义。然而在制备单层高导电性的石墨烯及批量化生产方面有待进一步研究。
2.5 碳纳米管剥离法制备石墨烯带
2.5.1 实验步骤
1、制得碳纳米管、含500%KMnO4的浓硫酸的悬浮溶液，22℃反应1h，然后在55-70℃下继续反应1h。
2、剥离作用机理如下图示意，在较温和条件下沿轴向打开碳纳米管。
2.5.2 实验分析
文献中方法剥离出的石墨烯带较宽，约为100~500nm，虽不是半导体，但更容易大规模制造。这种微观丝带能用来制造太阳能电池板、可弯曲的触摸显示屏，还能够制成轻薄、导电的纤维，以取代在飞机和宇宙飞船上使用的笨重铜线。石墨烯微观上窄带（10~20nm）具有导电性能，因此在电子工业将具有广泛用途，研究人员已使用石墨烯带制造出了基本的晶体管。
3. 石墨烯复合材料热性质表征【7】
3.1 石墨烯和环氧树脂复合材料制备
1、10g石墨烯，160ml硝酸，85g氯酸盐室温下混合，搅拌24h，200ml/次5%盐酸洗涤5次，1L/次蒸馏水洗涤7次。除去酸和盐杂质后，60℃下干燥沉淀。外加电压下通入氨气，形成稳定胶质。过滤，60℃下烘干2h除去挥发性气体。
2、制得的GO研磨粘附于少量丙酮中，按比例加入固化剂。将混合物加入到丙酮中，30W下超声分散半小时。再转移至稀释后的环氧树脂中，在12W下，超声分散3h，最后置于高剪切速率下10h。
3、将（2）中制得的混合物在真空体系下12h，除去残余溶剂。放入金属模具中177℃下模制2.5h，再继续反应2h进一步固化。
4、采用上述方法制备天然石墨-环氧树脂、碳纳米管-环氧树脂复合材料和GO填料的质量分数分别为1%和5%的复合材料。
3.2 热性质表征
3.2.1 导热系数
图8中看出，环氧树脂导热系数很差，还不到0.20W/m·K，少量GO可以明显改善环氧树脂的导热系数；比较填料质量分数同为1%的复合材料，GO对环氧树脂的改性较碳纳米管明显。导热系数的表征说明界面层GO是一种十分有前景的散热材料。
3.2.2 热膨胀系数比较
在玻璃化转变温度以下时，纯的环氧树脂热膨胀系数（CTE）约为
8.2*10-5/℃，添加了天然石墨的复合材料并未明显降低CTE；碳纳米管和GO的添加可以有效降低复合材料的CTE；其中，添加了5%GO的复合材料效果最为明显。在玻璃化转变温度以上，填料对环氧树脂热膨胀系数没有明显的影响作用。
3.2.3 热流量比较
嵌入了纳米材料的环氧树脂在固化过程中，嵌入的纳米材料部分影响了高分子链增长和链转移，这两种作用的平衡影响了复合材料的玻璃化转变。如果嵌入段对链转移有促进作用，降低了玻璃化温度；反之，玻璃化转变温度生高。
图10中可以看出，添加了碳纳米管和GO的环氧树脂玻璃化转变温度略有下降；但是从反应机理上来讲，GO中的羟基和环氧基叶参与固化反应，是反应过程变得更为复杂。
升温速率为5℃/min的差示扫描量热法（DSC）的表征结果显示，纯环氧树脂的热焓为343J/g；添加了1%碳纳米管的环氧树脂热焓为321J/g，降低了6%；添加了1%GO的环氧树脂固化时热焓为346J/g，并未影响环氧树脂的热焓变。
3.3 小结
本文对石墨烯改性环氧树脂做了热性能的表征，但石墨烯并未在阻燃方面表现出明显优势；而且本文并未对石墨烯改性后的复合材料力学性能进行表征，是本文的缺陷所在。
石墨烯的阻燃性能和其阻燃机理尚在研究之中。但石墨烯作为一种新兴的未来材料，其作用和价值是不容忽视的。
参考文献：
【1】张伟娜，何伟，张新荔. 石墨烯的制备方法及其应用[J]. 化工新型材料，2010（04）；
【2】Pan Y, Zhang H, et al. Highly ordered , millimeterscale , continuous, single-crystalline graphene monolayer formed on Ru(0001)[J]. Adv Mater, 2009,21;2777-2780.
【3】Dacheng Wei, et al. Scalable synthesis of few-Layer graphene ribbons with controlled morphologies by a template method and their applications in nano-electromechanical switches[]]. J Am Chem Soc. 2009, 131(31):11147-11164.
【4】Shen J, Hu Y, ShiM,et al. Fast and facile preparation of graphene oxide and reduced graphene oxide nanoplatelets [J]. Chem Mater,2009, 21(15),3514-3520.
【5】Li X, Zhang G, et al. Highly conducting graphene sheets any Langmuir-Blodgett films [J]. Nature Nanotechnology, 2008. 3:538-542.
【6】Dmitry V, Kosynkinl A. L, Higginlwtharn J,et al. Longitudinal unzipping of carbon nanotuhes to form graphene nanoribbons [J].Nature. 2009,458:872-876
【7】Shiren Wang, Madhava Tambraparni, Jingjing Qiu, John Tipton,and Derrick Dean.
Thermal Expansion of Graphene Composites[J]. Macromolecules, 2009, 42 (14), 5251–5255