华南师范大学实验报告
实验项目：直流激励时霍尔传感器位移特性实验
一、实验目的：
了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理：
金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍尔电势UH＝KHIB，当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为
UH kx，式中k—位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。 三、需用器件与单元：
霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V直流电源、测微头、数显单元。 四、实验步骤：
1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实验模板的插座中，实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源±5V，2、4为输出。
2、开启电源，调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置，再调节Rw1使数显表指示为零。
图9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图
3、测微头往轴向方向推进，每转动0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表9-1。 表9－1
作出V-X曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。 五、实验注意事项：
1、对传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。
2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V，否则将可能烧毁霍尔元件。 六、思考题：
本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化？
答：本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化，当X不同的时候，实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同的。
七、实验报告要求：
1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。 实验数据如下：
表9－2
根据上图和实验数据，在X∈[0.2,0.8]区间，霍尔传感器的灵敏度为：
729-177
=920；在X∈[1.2,2.0]区间，霍尔传感器的灵敏度为：
0.8-0.2-235+575k≈≈567。
1.4-2.0k≈
以上曲线本着出于方便，利用Excel软件直接生成的，下面将利用最小二乘法拟合更加符合实验数据处理的V-X曲线。
在这里，直接利用最小二乘法的结论：V=a+bX，其中
a=
∑xi∑xiyi-∑yi∑xi
i=1
KKKK
2
(∑xi)-K∑xi
2
i=1
i=1
i=1Ki=1K
i=12
b=
∑x∑y
ii=1
i=1Ki=1
KK
i
-K∑xiyi
i=1K
2
K
(∑xi)2-K∑xi
i=1
计算a、b（利用表2数据）
∑X
i=110
K
i
=0.2+0.4+0.6+0.8+1.0+1.2+1.4+1.6+1.8+2.0=11
∑XV
i
i=1
i
=0.2*729+0.4*523+0.6*347+0.8*177+1.0*85+1.2*（-80.）+1.4*（-235）
+1.6*（-354）+1.8*（-465）+2.0*（-575）=-2188.6
∑V
i=110
10
i
=729+523+347+177+85-80-235-354-465-575=152
[1**********].2+0.4+0.6+0.8+1.0+1.2+1.4+1.6+1.8+2.0=15.4 X=∑i
2
i=1
11*(-2188.6)-152*15.4
≈800.47 2
11-10*15.411*152-10*(-2188.6)b=≈-713.88 2
11-11*15.4
即得V-X拟合曲线，V=-713.88*X+800.47 误差分析：
把X的值分别代入式V=-713.88*X+800.47，可得：
可得，a=
∆V1=71.306；∆V2=8.082；∆V3=-25.142；∆V4=-52.366；∆V5=-1.59 ；
∆V6=-23.814 ；∆V7=-36.038；∆V8=-12.262；∆V9=19.514；∆V10=52.29。 可得，线性度为
δL=
∆Vmax∆V171.306
⨯100%≈5.55% ⨯100%=⨯100%=
657.694-(-627.29)VFSV1-V10
2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种，各自的产生原因是什么，应怎样进行补偿。
答：（1）零位误差。零位误差由不等位电势所造成，产生不等位电势的主要原因是：两个霍尔电极没有安装在同一等位面上；材料不均匀造成电阻分布不均匀；
控制电极接触不良，造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。
（2）温度误差。因为半导体对温度很敏感，因而其霍尔系数、电阻率、霍尔电势的输入、输出电阻等均随温度有明显的变化，导致了霍尔元件产生温度误差。补偿方法是采用恒流源供电和输入回路并联电阻。
华南师范大学实验报告
实验项目：直流激励时霍尔传感器位移特性实验
一、实验目的：
了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理：
金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍尔电势UH＝KHIB，当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为
UH kx，式中k—位移传感器的灵敏度。这样它就可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。 三、需用器件与单元：
霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V直流电源、测微头、数显单元。 四、实验步骤：
1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实验模板的插座中，实验板的连接线按图9-1进行。1、3为电源±5V，2、4为输出。
2、开启电源，调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置，再调节Rw1使数显表指示为零。
图9-1 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图
3、测微头往轴向方向推进，每转动0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表9-1。 表9－1
作出V-X曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。 五、实验注意事项：
1、对传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。
2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V，否则将可能烧毁霍尔元件。 六、思考题：
本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化？
答：本人认为应该是实际的输入、输出与拟合的理想的直线的偏离程度的变化，当X不同的时候，实际的输出值与根据拟合直线得到的数值的偏离值是不相同的。
七、实验报告要求：
1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。 实验数据如下：
表9－2
根据上图和实验数据，在X∈[0.2,0.8]区间，霍尔传感器的灵敏度为：
729-177
=920；在X∈[1.2,2.0]区间，霍尔传感器的灵敏度为：
0.8-0.2-235+575k≈≈567。
1.4-2.0k≈
以上曲线本着出于方便，利用Excel软件直接生成的，下面将利用最小二乘法拟合更加符合实验数据处理的V-X曲线。
在这里，直接利用最小二乘法的结论：V=a+bX，其中
a=
∑xi∑xiyi-∑yi∑xi
i=1
KKKK
2
(∑xi)-K∑xi
2
i=1
i=1
i=1Ki=1K
i=12
b=
∑x∑y
ii=1
i=1Ki=1
KK
i
-K∑xiyi
i=1K
2
K
(∑xi)2-K∑xi
i=1
计算a、b（利用表2数据）
∑X
i=110
K
i
=0.2+0.4+0.6+0.8+1.0+1.2+1.4+1.6+1.8+2.0=11
∑XV
i
i=1
i
=0.2*729+0.4*523+0.6*347+0.8*177+1.0*85+1.2*（-80.）+1.4*（-235）
+1.6*（-354）+1.8*（-465）+2.0*（-575）=-2188.6
∑V
i=110
10
i
=729+523+347+177+85-80-235-354-465-575=152
[1**********].2+0.4+0.6+0.8+1.0+1.2+1.4+1.6+1.8+2.0=15.4 X=∑i
2
i=1
11*(-2188.6)-152*15.4
≈800.47 2
11-10*15.411*152-10*(-2188.6)b=≈-713.88 2
11-11*15.4
即得V-X拟合曲线，V=-713.88*X+800.47 误差分析：
把X的值分别代入式V=-713.88*X+800.47，可得：
可得，a=
∆V1=71.306；∆V2=8.082；∆V3=-25.142；∆V4=-52.366；∆V5=-1.59 ；
∆V6=-23.814 ；∆V7=-36.038；∆V8=-12.262；∆V9=19.514；∆V10=52.29。 可得，线性度为
δL=
∆Vmax∆V171.306
⨯100%≈5.55% ⨯100%=⨯100%=
657.694-(-627.29)VFSV1-V10
2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种，各自的产生原因是什么，应怎样进行补偿。
答：（1）零位误差。零位误差由不等位电势所造成，产生不等位电势的主要原因是：两个霍尔电极没有安装在同一等位面上；材料不均匀造成电阻分布不均匀；
控制电极接触不良，造成电流分布不均匀。补偿方法是加一不等位电势补偿电路。
（2）温度误差。因为半导体对温度很敏感，因而其霍尔系数、电阻率、霍尔电势的输入、输出电阻等均随温度有明显的变化，导致了霍尔元件产生温度误差。补偿方法是采用恒流源供电和输入回路并联电阻。