《模拟电子技术》试卷
一. 填空题(每空1分, 共30分)
1．P 型半导体掺入，少子是 2．PN 结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作在 开关 状态。
5．幅度失真和相位失真统称为
6．功率放大电路的主要作用是 乙类 功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a. 直流负反馈，b. 交流负反馈）。 8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有其原理是构成压串联 负反馈。
10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。
11．根据MOS 管导电沟道的类型，可分为
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）
1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约
______V。C
A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5 C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2
2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）
A) N沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道结型；N 沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道增强型MOSFET ；结型N 沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道结型；N 沟道增强型MOSFET D) P沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道增强型MOSFET ； N 沟道结型
3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E ，电压放大倍数将（ A） A) 增加 B) 减小 C) 不变 D) 不能确定
4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流 D) 加大R C
5．功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。 A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同 C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同
6．理想集成运算放大器的放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o 分别为（ C ） A) ∞，0，∞ B) 0，∞，∞ C) ∞，∞，0 D) 0，∞，0 7．正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。
A)
F F >1 >1 B) ϕ+ϕ=2n π ；A ；A a f
F =1 ；A
F =1 D)
C) ϕa +ϕf =2n π；A
8．共模抑制比K CMR 是（ D ）
A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值 B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值 9．下列说法中正确的是（ D ） A) 任何放大电路都有功率放大作用
B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈
D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变 10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。 A) 耦合电容和旁路电容的存在 B) 半导体管极间电容和分布电容的存在 C) 半导体管的非线性特性 D) 静态工作点不合适
三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K ,Rc=2K，R L =6K，β=40,rbe =1K。
四．（6分）设硅稳压管D 1和D 2的稳定电压分别为5V 和10V ，正向压降均为0.7V ，求：
25V
①稳压管接法如图，求输出电压U O 。
②若两只稳压管方向均相反，求U O 。 ③若D 1方向不变，D 2方向相反，求U O 。
五．（9分）下图中三极管均为硅管，R B 和R C 的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。
（1） （2） （3）
分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出u o1、u o2和u o 的表达式。
六、（9
七．(10分) 计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1 = Rb2 = 280K，Rc1 = Rc2 = 3K，R L = 3K，U CC = 12V，β= 50，r be1 = rbe2 = 950Ω。
八．（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：
①如果VD 3接反，则会出现什么现象? ②如果VD 3被开路, 则会出现什么现象?
VD1
u 1
u 2
VD3
VD2u o
R L
《模拟电子技术》试卷
一. 填空题(每空1分, 共30分)
1．P 型半导体掺入，少子是 2．PN 结主要特性是具有单向导电性 ，即正 导通，反向 截止 。
3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结 4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的中三极管一般工作在 截止 区或 饱和 区，此时也称它工作在 开关 状态。
5．幅度失真和相位失真统称为
6．功率放大电路的主要作用是 乙类 功率放大电路的效率最高。
7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a. 直流负反馈，b. 交流负反馈）。 8．三极管串联型稳压电路由 取样电路 、 基准电路 、 比较电路 和 调整电路 四大环节组成。
9．分压式偏置电路具有其原理是构成压串联 负反馈。
10．集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输出端 同相 ；后者的极性同输出端 反相 。
11．根据MOS 管导电沟道的类型，可分为
二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）
1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约
______V。C
A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5 C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2
2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）
A) N沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道结型；N 沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道增强型MOSFET ；结型N 沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道结型；N 沟道增强型MOSFET D) P沟道耗尽型MOSFET ；N 沟道增强型MOSFET ； N 沟道结型
3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E ，电压放大倍数将（ A） A) 增加 B) 减小 C) 不变 D) 不能确定
4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。
A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流 D) 加大R C
5．功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。 A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同 C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同
6．理想集成运算放大器的放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o 分别为（ C ） A) ∞，0，∞ B) 0，∞，∞ C) ∞，∞，0 D) 0，∞，0 7．正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。
A)
F F >1 >1 B) ϕ+ϕ=2n π ；A ；A a f
F =1 ；A
F =1 D)
C) ϕa +ϕf =2n π；A
8．共模抑制比K CMR 是（ D ）
A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值 B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值 9．下列说法中正确的是（ D ） A) 任何放大电路都有功率放大作用
B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈
D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变 10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。 A) 耦合电容和旁路电容的存在 B) 半导体管极间电容和分布电容的存在 C) 半导体管的非线性特性 D) 静态工作点不合适
三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V，Rb1=20K，Rb2=10K，Re=2K ,Rc=2K，R L =6K，β=40,rbe =1K。
四．（6分）设硅稳压管D 1和D 2的稳定电压分别为5V 和10V ，正向压降均为0.7V ，求：
25V
①稳压管接法如图，求输出电压U O 。
②若两只稳压管方向均相反，求U O 。 ③若D 1方向不变，D 2方向相反，求U O 。
五．（9分）下图中三极管均为硅管，R B 和R C 的电阻值选取合适，从偏置情况分析判断下图中各三极管的工作状态。
（1） （2） （3）
分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出u o1、u o2和u o 的表达式。
六、（9
七．(10分) 计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1 = Rb2 = 280K，Rc1 = Rc2 = 3K，R L = 3K，U CC = 12V，β= 50，r be1 = rbe2 = 950Ω。
八．（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：
①如果VD 3接反，则会出现什么现象? ②如果VD 3被开路, 则会出现什么现象?
VD1
u 1
u 2
VD3
VD2u o
R L