芯片尺寸规格：
一、样品原状态光电参数测试说明与结果： 1、蓝光测试数据：
VF1 No. No.
@20mA @-10uA @-5V
1 2 3 4 5 6
3.68 3.83 3.70 4.37 3.74 3.83
39.0 36.4 37.5 32.0 43.8 40.1
0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
7 8 9 10 11 12
VF1 @20mA 3.76 3.70 3.76 3.58 3.65 4.23
@-10uA 39.3 36.1 36.7 29.4 30.9 41.9
@-5V 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
##
说明：客户反馈蓝光LED 样品12只，VF 测试数据集中在3.6V-3.9V 之间，4和12达到4.2V 。
二、减薄环氧树脂光学透视分析过程： 1、 蓝光芯片照片：
#
#
发
暗处
12样品内芯片 12芯片局部放大
说明：P 电极周围观察到一圈不同程度发暗现象。 三、去环氧树脂分析：
##
1、对蓝光1-7样品进行去环氧树脂分析，完整取出芯片7颗。
1
#
#
2芯片照片 2芯片小电流点亮
#
#
4芯片照片 4芯片小电流点亮
说明：芯片点亮后发光面积不完整，电流扩展不良，这极易造成芯片Vf 升高。 2、 芯片测试数据： 1）蓝光测试数据
VF1 VF1 No. No.
@-10uA @-10V @20mA @-10uA @-10V @20mA
1 2 3 4
3.72 3.89 3.75 4.28
38.5 35.4 35.0 30.5
0.00 0.00 0.00 0.00
5 6 7
3.77 3.88 3.79
40.8 37.9 36.8
0.00 0.00 0.00
说明：芯片取出后测试，Vf 数据仍偏高。
四、不良原因具体分析：
##
1、对1和2芯片进行去金球处理，芯片照片如下：
2
#
#
1芯片 1芯片局部放大
##
2、对3和4芯片进行去钝化层处理，芯片照片如下：
#
#
4芯片 4芯片局部放大
说明：通过对1、2步骤中照片的对比，减薄环氧树脂光学透视分析过程中，P 电极周围观 察到的一圈不同程度发暗现象，发生在透明电极层。
##
3、直接在1和2芯片透明电极上下探针测试：
##
1）1和2芯片透明电极下探针测试照片对比：
#
#
1芯片在P 电极下探针 1芯片在透明电极下探针 说明：在透明电极下探针后点亮，发光面积恢复完整。
##
2）1和2芯片透明电极上下探针测试数据对比：
No. P 电极下探针 透明电极下探针
3
1 2
#
#
VF1 @20mA 3.72 3.89
VZ @-10uA 38.5 35.4
IR @-5V 0.00 0.00
VF1 @20mA 3.46 3.48
VZ @-10uA 38.4
36.5
IR @-5V 0.00 0.00
说明：1和2芯片透明电极下探针测试的Vf 数据有明显下降。
##
4、将3和4芯片重新封TO ，P 电极焊线金球故意焊偏测试： 1）P 电极焊线金球焊偏后照片对比：
#
#
4芯片 4芯片局部放大 说明：P 电极焊线金球焊偏后点亮，发光面积恢复完整。 2）P 电极焊线金球焊偏后测试数据对比：
芯片取出后
P 电极焊线金球焊
偏
IR @-5V 0.00 0.00
VF1 @20mA 3.36 3.39
VZ @-10uA 33.4 28.4
IR @-5V 0.00 0.00
No.
3 4
VF1 @20mA 3.75 4.28
VZ @-10uA 35.0 30.5
5、对不良芯片和正常芯片进行表面扫描：
说明：不良芯片的电极周围ITO 断开。 五、最终分析结果：
##
1. 客户反馈蓝光LED 样品12只，VF 测试数据集中在3.6V-3.9V 之间，4和12达到4.2V 。
绿光LED 样品6颗，VF 测试结果在3.7-4.0之间，其中2颗为开路电压。
2. Vf 偏高的主要原因是芯片电极周围的透明电极不良，导致电极和透明电极间电流扩展
不良，造成VF 值升高。
4
芯片尺寸规格：
一、样品原状态光电参数测试说明与结果： 1、蓝光测试数据：
VF1 No. No.
@20mA @-10uA @-5V
1 2 3 4 5 6
3.68 3.83 3.70 4.37 3.74 3.83
39.0 36.4 37.5 32.0 43.8 40.1
0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
7 8 9 10 11 12
VF1 @20mA 3.76 3.70 3.76 3.58 3.65 4.23
@-10uA 39.3 36.1 36.7 29.4 30.9 41.9
@-5V 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
##
说明：客户反馈蓝光LED 样品12只，VF 测试数据集中在3.6V-3.9V 之间，4和12达到4.2V 。
二、减薄环氧树脂光学透视分析过程： 1、 蓝光芯片照片：
#
#
发
暗处
12样品内芯片 12芯片局部放大
说明：P 电极周围观察到一圈不同程度发暗现象。 三、去环氧树脂分析：
##
1、对蓝光1-7样品进行去环氧树脂分析，完整取出芯片7颗。
1
#
#
2芯片照片 2芯片小电流点亮
#
#
4芯片照片 4芯片小电流点亮
说明：芯片点亮后发光面积不完整，电流扩展不良，这极易造成芯片Vf 升高。 2、 芯片测试数据： 1）蓝光测试数据
VF1 VF1 No. No.
@-10uA @-10V @20mA @-10uA @-10V @20mA
1 2 3 4
3.72 3.89 3.75 4.28
38.5 35.4 35.0 30.5
0.00 0.00 0.00 0.00
5 6 7
3.77 3.88 3.79
40.8 37.9 36.8
0.00 0.00 0.00
说明：芯片取出后测试，Vf 数据仍偏高。
四、不良原因具体分析：
##
1、对1和2芯片进行去金球处理，芯片照片如下：
2
#
#
1芯片 1芯片局部放大
##
2、对3和4芯片进行去钝化层处理，芯片照片如下：
#
#
4芯片 4芯片局部放大
说明：通过对1、2步骤中照片的对比，减薄环氧树脂光学透视分析过程中，P 电极周围观 察到的一圈不同程度发暗现象，发生在透明电极层。
##
3、直接在1和2芯片透明电极上下探针测试：
##
1）1和2芯片透明电极下探针测试照片对比：
#
#
1芯片在P 电极下探针 1芯片在透明电极下探针 说明：在透明电极下探针后点亮，发光面积恢复完整。
##
2）1和2芯片透明电极上下探针测试数据对比：
No. P 电极下探针 透明电极下探针
3
1 2
#
#
VF1 @20mA 3.72 3.89
VZ @-10uA 38.5 35.4
IR @-5V 0.00 0.00
VF1 @20mA 3.46 3.48
VZ @-10uA 38.4
36.5
IR @-5V 0.00 0.00
说明：1和2芯片透明电极下探针测试的Vf 数据有明显下降。
##
4、将3和4芯片重新封TO ，P 电极焊线金球故意焊偏测试： 1）P 电极焊线金球焊偏后照片对比：
#
#
4芯片 4芯片局部放大 说明：P 电极焊线金球焊偏后点亮，发光面积恢复完整。 2）P 电极焊线金球焊偏后测试数据对比：
芯片取出后
P 电极焊线金球焊
偏
IR @-5V 0.00 0.00
VF1 @20mA 3.36 3.39
VZ @-10uA 33.4 28.4
IR @-5V 0.00 0.00
No.
3 4
VF1 @20mA 3.75 4.28
VZ @-10uA 35.0 30.5
5、对不良芯片和正常芯片进行表面扫描：
说明：不良芯片的电极周围ITO 断开。 五、最终分析结果：
##
1. 客户反馈蓝光LED 样品12只，VF 测试数据集中在3.6V-3.9V 之间，4和12达到4.2V 。
绿光LED 样品6颗，VF 测试结果在3.7-4.0之间，其中2颗为开路电压。
2. Vf 偏高的主要原因是芯片电极周围的透明电极不良，导致电极和透明电极间电流扩展
不良，造成VF 值升高。
4