第z9卷第4512007年8月
压电与声光
PIEZOELECTECTRICS8LACOUsT00PTICS
VoL29NO.4Aug.2007
文章编号:1004—2474(2007)04—0379—04
薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
何
摘
杰,刘荣贵,马晋毅
(四川压电与声光技术研究所,重庆400060)
要:薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数(Q)高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特
点,适合于工作在1~10GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波(sAw)器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。
关键词:薄膜体声波谐振器;Q值;功率承受能力;高频应用;IC技术中图分类号:TN65
文献标识码:A
ThinFilmBulkAcoustic
Resonator(FBAR)Technology
HEJie,LIURong-gui,MAJin-yi
andAcousto-optic
andItsApplications
(StchuanInstituteofPiezoelectric
Technology,Chongqing400060,China)
Abstract:Thethmfdmbulkacousticwavedeviceshavethe
power
featuresofsmallsize,10wCOSt,highQvalue,high
can
handlingcapabilityandapplicationofhighfrequenciesandcompatibilitywithIC—technology.They
systemoperatingbetweenland10GHz.They
are
be
usedadvantageouslyinRF
expected
tO
replace
tra&tionalSAW
an
over-
devicesandmicrowaveceramicdevicesinthefuturewirelesscommunicationsystem.Thispaperpresents
viewoftheprincipleofFBARtechnologyanditsnew
developmentandapplications.Threedevice
structuresand
theirfabricationswereanalyzed.AbriefdiscussionofthefuturetrendsandchallengesofFBARtechnologyisalso
described.
Keywo州b:FBAR;Q-value;powerhandling
capability;applicationofhighfrequencies;IC-technology
随着现代无线通讯技术,特别是3G通讯技术的迅速发展及无线终端的多功能化(如GPS接收机、无线接人系统和高速语音、数据、图文与图像传输等),工作在射频波段的通讯器件的微型化,低功耗,低成本,集成化及高性能越来越受到人们的重视。传统的射频频率器件的解决方案主要是采用声表面波(SAW)技术和微波陶瓷技术。微波陶瓷器件成本低,器件性能高,但体积较大。SAW器件的电性能比微波陶瓷器件好,可再制性高,选择性好,体积小,但插入损耗大,功率承受能力小,性能随温度变化漂移[1]。且微波陶瓷器件和SAW器件均不能与硅集成技术兼容,难以实现系统的微型化和低功耗[2]。近年来,微电子机械系统(MEMS)技术的发展带来了精细的加工手段,这使系统向微型化方向发展[3]。基于MEMS技术的薄膜体声波谐振器(FBAR)[11正是解决系统微型化和低功耗的关键技术。由于体声波的传播速度比SAW的传播速度快,所以FBAR具有频率高(可达1~10GHz),体积小,换能效率高等优点。利用FBAR可制作滤波器、双工器、振荡器等多种高性能小体积表面贴装型微波器件,其电性能已达3G移动通讯的要求。此外,FBAR技术与半导体工艺兼容,易与射频系统前
收疆日期:2007-06-06
作者曹介:何杰(1968-),男,四川南部人,工程师。
端集成,从而实现射频系统的微型化。由于3G通讯技术及其发展要求采用单芯片解决方案,因此,FBAR技术是一种更可靠、更有效的“系统单芯片集成”解决方案,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的SAW器件和微波陶瓷器件,具有广阔的应用前景。
1
FBAR的原理及基本结构
FBAR是一种利用声学谐振实现电学选频的器
件。工作区由金属底电极一压电膜一金属上电极组成,器件工作于能陷一厚度振动模式,工作频率与压电材料的厚度成反比,如图1所示。
图1FBAR的基本结构
FBAR的基本工作原理:当电信号加载到FBAR上时,器件中的压电薄膜通过逆压电效应将电信号转变为声信号,器件特定的声学结构对不同频率的声信号呈现出选择性,其中在器件内满足声
波全反射条件的声信号将在器件内实现谐振,而不
万方数据
380
莲泡毒黪巍2007皴
满足谐振条件的声信号就会衰减,在频谱上与谐振声信号频率相差越多的声信号裘减越快。最后,在器件内幅度相位殴产生差舅麴声信号又通过压嗽薄膜筹毙铡瑰转变成输出电信号,邃样FBAR最终就表现出对电信号的选频作用。FBAR与工作在千赫兹~兆赫兹憋晶振孛晶体谐振器及陶瓷滤渡器中瓣陶瓷谐振器的工稼原理是相同的。不同的是,~方瑟,FBAR鼢攫激膜厚度在微米羹级,扶磷使其工作频率可提高到吉赫兹级。另一方面,由于压电膜太薄,使FBAR不可能象晶体谐振器那样由压电晶片暮承托上下迄极,因她FBAR必须有一个衬底,热工时先将金属岚瞧极蒸发或溅射到衬底上,然后在魄极上沉积压电薄貘,最詹再在蘧毫薄膜上形成金
属上电极。
FBAR的等效电路模型~般采用改进的巴特沃辫一范戴克(MBVD)模鍪,魏圈2掰示。其憾频嚷廑如图3所示,其中^和五为并联糯串联谐振频率。
一皇协
叫刖图2
FBAR黪MBVD模型
瓣3MBVD壤燮熬强羧璃应爱
有效机电耦合系数是孙和晶质因素Q是衡量FBAR性能最重要的指标,鼠
壹酝一等f艇了生{
(1)‘£、
,
Q一蛩
』p
(2)
器件的惫孙对器件性能的影响在插损及^和氕阕鹇带宽掰方瑟。磊毫越大,捶损越小,带宽越大。蠢纛燕要由压电膜树料的机电藕禽系数k:决定,弱
前瘸于FBAR豹糕电膜材料主要有A1N耩ZnO两种。这两种材料的主要性能参数如表1所永。由表可稽逛,A1N材料除k:略小予ZnO外,其健方西都优予ZnO,且AtN与半导体工艺兼容,因此产品级的FBAR器件都采用AlN誊|料。表中鼹种材料的蠢:值都是在膜材料中晶粒c轴取礴生长良好的情况下才具有的,而制备f轴取向良好的压电膜是研制F转AR的裁提稷蒸确。
万
方数据袭1A1N和ZnO的主要性能参数对比
除腰电膜材料的k;值外,对器件的愚:。会产生重要影响的因素j丕包括电极材料戆耱类、器度等。
Q主要由器件的声泄露决定。声泄露越少,Q值越大,器终的摇擐越小,FBAR滤波器戆逶带拐焦就越陡。不同研究者研制的FBAR器件在Q德上的差异较大。在FBAR器件造成声泄露的主要原蠢是誊季褒。衬褒麴存在提供了声瀵露的通道,如何在结构上阻断或减弱衬底造成的声泄露,从而掇离器终豹Q篷,是FBAR疆铡熬另外一个重要课题。
迄今为止,实现FBAR有横膈膜型、空气腔型和反射阵型三种结构(见图4)。树底材料一般选用离阻的巍材料,黻防噍赢电极静电澄箨或干扰。
图4
FBAR的三种基本结构
横膈膜型是FBAR研究早期采用较多的一种结构,它是裂焉Si誊砉辩的各淘异瞧,首先通过
MEMS方法对衬底树糕进行定向刻蚀,形成厚度为尼徽岽浮酶横藤膜,然麓在横膈膜送域钊备电檄秽压电薄膜。横膈膜结构的主要缺点:
(1)由于相比于工佟区域面积大褥多的衬底的移涂造成结构稳定性降低,可靠梭下降。
(2)出于横腈膜厚度对于压电膜厚度的比德避大,造戏较大懿声灌缮,献藤雩|莛Q毽降低。
空气腔型是目前用于产品最成功的结构形式,它是在娜王完电极和压电膜后通过移除它们下方的牺牲层鸯考料形成空气腔以此来减小声泄露。与横膈貘结构襁毙,该结构孛空气腔面积与工捧区面积接近l:l,丽横膈貘厚度匀疆电膜簿度之院可远小于1,从而在结构稳定性和Q值都较横膈膜结构有很
大提离。
第4期
何杰等:薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
381
反射阵型是基于布喇格谐振腔原理工作的结构形式。一方面,因声波会沿着衬底传播,故可在衬底上设置多个反射层,将声波能量尽量反射回去,当满足布喇格谐振条件时,声波就可在压电膜和反射层中形成驻波,从而实现谐振。另一方面,在声波传播过程中,当声阻抗不连续时,声波就会产生反射。声阻抗差异越大,反射效率越高。因此,在反射层材料的选择上,要采用声阻抗差异大的材料,金属W和Si0:是目前通用的材料。而反射层的厚度要满足布喇格谐振条件,即1/4波长。反射阵型在工艺上看似简单,但器件Q值完全依赖于反射层膜厚的精确控制和各膜层良好的一致性。
2
FBAR的应用及发展趋势
2.1
应用
目前FBAR的主要应用领域有PCS、CDMA和W—CDMA用射频滤波器和双工器,GPS接收机用滤波器及FBAR振荡器等。
2.1。1
FBAR滤波器
采用FBAR技术实现的滤波器具有工作频率高(1~10GHz)、损耗低(Q值达1000)、温度稳定性好,功率承受能力强(3W),体积小的特点。为提高频率选择性,将多个不同谐振频率的FBAR级联就可满足射频滤波器的技术要求[4]。目前,FBAR滤波器一般采用梯形结构、桥式结构及梯形结构和桥式结构的组合[5]三种基本结构,如图5所示。
FBAR
荔
输入
(I)梯形结构拓扑图(b)桥式结构拓扑图
矗
输入
FBAR
FBAR
(c)组合桥式・梯形滤波器的拓扑结构图5
FBAR滤波器网路拓扑结构
梯形FBAR滤波器结构是FBAR滤波器主要采用的结构,此结构的FBAR滤波器具有陡峭的抑制响应,但对无用频带的抑制较低。桥式结构采用的FBAR比梯形结构采用的FBAR多,因为根据传输函数,桥式结构需两个谐振器才能产生一个极和一个传输零点。桥式结构FBAR滤波器具有较低的滚降系数,但无用频带抑制比梯形结构更高。W—CDMA射频前端用FBAR滤波器拓扑结构是组合了梯形和桥式FBAR滤波器结构,采用这种组合结FBAR双工器
双工器在通讯系统中具有关键作用。目前,采
万
方数据用FBAR技术实现的双工器主要用于PCS,CDMA移动通讯。通过组合发射(Rx)滤波器和接收(Rx)滤波器可以构成双工器。图6为EPCOS公司设计的概念验证性PC孓CDMA双工器结构图。该双工器的大小为3.8
mm×3.8mmXl.1
mm,阻带特性
达到了10GHz,特性阻抗为50Q,频率温度系数
(TCF)为一20×10一6/K[61。
低噪声放大器
功率放大器
图6双工器拓扑结构
2.1.3
FBAR振荡器
无线通讯对低抖动率时钟和振荡器有广泛需求,在500MHz~5GHz频段内,基于FBAR技术实现的振荡器在器件大小,性能和成本等方面具有目前使用的声表面波振荡器和陶瓷振荡器无可比拟的优势,是声表面波和陶瓷振荡器理想的替代品。图7为采用串联谐振体声波谐振器振荡器原理图,其实现的频率达2GHz,大小为2.8
mm×2mm,工
作电流为1.2~1.5mA,工作电压大于2.7V,相位噪声在10kHz和100Hz漂移时分别为一99dBc/
Hz和一120dBc/Hz。器件可集成在系统封装的射
频器件内[7]。
图7
FBAR振荡器原理图
FBAR技术的发展趋势
利用FABR技术可实现滤波器、双工器及振荡
器这样的高性能小体积微波器件,且可将FBAR器成(SoC)技术
FBAR技术在实现射频器件的小型化方面是一G通讯系2.2
构的FBAR滤波器可实现无用频带的高度隔离且在接近通带的地方实现陡峭的响应。2.1.2件和低噪声功率放大器(LNA)、混频器等器件进行集成,从而研制出更高性能和更小体积的射频系统。2.2.1片上集成电路FBAR技术和系统单芯片集
大技术突破,然而,目前FBAR和辅助电路是单独制作的,通过键合工艺组装,因此,要进一步降低射频前端的体积仍面临一些问题。为满足3统对射频部件的微型化,低成本,集成化要求,提出
382
压电与声光
了片上集成电路(Above-IC)FBAR技术[83。这种集成技术可进一步降低高性能射频前端的体积和成本,使未来的“系统单芯片集成(SoC)”成为可能。
图8为采用BiCOMS和片上集成电路技术实现的验证性体声波滤波器射频前端。其电路包括一个单端输入LNA(可直接与双工器的单Rx通道连接),后接一个中等插损的单一差分单片平衡一不平衡变换器来驱动频率为2.14GHz的体声波带通滤波器。滤波器的输出连接到一个全差分混频器,混频器使射频信号向下变频至基带频率。整个射频前端的芯片面积仅2.44mm2(包括体声波滤波器)[2]。
图8采用BICMOS和片上集成电路技术实现的
FBAR滤波器射频前端
片上集成电路FBAR技术的开发为3G射频系统集成提供了可能性。图9为未来射频前端系统集成的验证性解决方案,采用这种方案可满足市场要求减少收发机和其他通讯电路外部无源元件数量的要求。然而,这种方案在技术实现上仍需解决的问题:
(1)如何实现功率放大器的集成。(2)单一差分体声波双工器的设计。
(3)如何设计滤波LNA以提高Tx和Rx链接之间的隔离度(磁和基片耦合)[9|。
瓣
零
中
频收发机
图9
系统单芯片集成射频前端
2.2.2
FBAR技术的高频应用
FBAR技术未来的另一个发展方向将是更高频段的应用。目前,大量的研究集中于工作在L波段和S波段的PCS、W—CDMA用FBAR器件的设计、制作及C波段应用上。这些应用都是基于FBAR的基本谐振模式,这就限制了滤波器的最大工作频率。如果采用更高次谐波模式,FBAR滤波器就可工作在更高频段上(Ku,K和Ka波段)。此外,采用更高次谐波谐振模式还可降低谐振器的机电耦合系数,从而限制滤波器的相对通带,这样,滤波器就适合于极小窄带选择应用。高次谐波模式的应用将会为体声波器件开辟新的应用领域。
3
FBAR技术面临的挑战
FBAR技术目前面临的挑战主要是设计和工艺
制作。从设计上说,目前FBAR采用的等效电路模
万
方数据型有Mason模型[103和MBVD模型‘11],但这两种模型都是一维模型。Mason模型采用物体的材料参数和物理结构来描述FBAR的特性阻抗,与当前微波电路仿真软件设计的要求不兼容,结果使其应用范围受到了一定限制。MBVD模型是目前普遍采用的等效电路模型,它使用36个集总参数元件来描述FBAR,便于达到一定的滤波器频率响应指标而对电路参数进行分析和优化电路参数的目的。但MBVD模型只能模拟FBAR谐振频率附近的阻抗特性,并不能给出整个频域的特性阻抗。采用这样的一维模型虽然能够获得谐振效应,电极负载效应和反射器叠层效率这样的直接信息,但却难以对横向振动模式和结构的几何图形产生的寄生现象进行有效预测。因此,必须开发出更复杂的算法以实现三维的互相耦合的电、声模拟从而达到要求的精度。
从工艺制作上说,首先,要制备一致性好,可靠
2|。同时,良好的压电膜仅是实现器件高性能的基础之一,在结构上实现最小的声泄露从而保证器件具有较高Q值是工艺面临的另率,必须通过控制各个堆积层,电极层和谐振层的拓扑结构来限制器件的大小;最后,为了能实现与声表面波器件的成本优势,未来的FBAR器件必须采用
cm晶片实现量产,这会给薄膜的沉积工艺带
3
结束语
FBAR技术涉及声波器件、材料、IC制造工艺、
微电机系统(MEMS)和无线通讯应用等众多学科,是一个多学科交叉的研究领域。本文综述了FBAR技术的基本原理和应用,分析了FBAR器件的三种基本结构及其制作方法,讨论了FBAR技术未来的发展趋势及面临的挑战。目前,FBAR器件的电性能已达3G移动通讯的要求,具有广阔的应用前景。当前世界许多国家都在积极研究FBAR技术,期望实现射频系统.的集成化,微型化和低成本。虽然FBAR技术的研究取得了相当突破,但在如何实现FBAR器件的三维模拟及薄膜的制备工艺上仍有许多问题有待探索和解决。参考文献:
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(下转第385页)
性高,具有可重复性耦合系数k:的ZnO和A1N薄膜是具有挑战性的[1一个难题。其次,为了尽可能地降低电容间耦合效20.32
来极大困难和压力。
第4期
魏巍等:一种新型120MHz微机补偿泛音晶体振荡器
385
补偿后
频率能较好地解决此问题。
这种振荡器设计方法打破了传统高频温度补偿晶体振荡器的设计局限,对晶体振荡器稳定度的进一步提高以及高频低相噪晶体振荡器的补偿十分有利,极具应用推广价值。参考文献:
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万方数据
薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
作者:作者单位:刊名:英文刊名:年,卷(期):被引用次数:
何杰, 刘荣贵, 马晋毅, HE Jie, LIU Rong-gui, MA Jin-yi四川压电与声光技术研究所,重庆,400060压电与声光
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS2007,29(4)1次
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首先,本论文在蓝宝石(0001)衬底上采用MOCVD生长AlN薄膜,系统研究了衬底温度、三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)的流量、反应室总压等工艺参数对AlN薄膜取向的影响规律,通过优化工艺参数,成功制备出了高度c轴取向、具有六方纤锌矿结构的AlN外延薄膜;其(0002)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)达到了0.10°,AlN与Al2O3的面内关系为AlN[3013]//Al2O3[3329];椭圆偏振法测量出AlN薄膜的折射率介于2.0到2.4之间。
其次,本论文采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上生长Mo薄膜,在优化条件下成功制备出了(110)择优取向的Mo薄膜。在此基础上,本论文进一步在Mo/Si衬底上采用MOCVD生长AlN薄膜,在950℃到1050℃的温度范围内成功制备出了c轴择优取向的AlN薄膜;介电常数介于8.9到11.8之间;损耗介于1.0%到2.0%之间;压电系数介于2.1到2.9之间。
最后,由于Mo电极上生长的AlN介电损耗过大,本论文选择ZrN作为新的底电极材料。通过优化射频磁控溅射工艺在Si基片上获得了(111)取向的ZrN薄膜。随后以ZrN/Si为衬底,在1000℃到1050℃的温度范围内采用MOCVD生长了c轴择优取向的AlN薄膜。研究结果显示:与在Mo/Si衬底上生长的AlN薄膜相比,由于AlN薄膜与ZrN之间的晶格失配度小,以ZrN为底电极所生长的AlN薄膜具有更加优良的介电性能与压电性能。AlN薄膜介电常数介于8.3到8.6之间;其损耗介于0.1%到0.6%之间;压电系数介于2.8到3.1之间。
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第z9卷第4512007年8月
压电与声光
PIEZOELECTECTRICS8LACOUsT00PTICS
VoL29NO.4Aug.2007
文章编号:1004—2474(2007)04—0379—04
薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
何
摘
杰,刘荣贵,马晋毅
(四川压电与声光技术研究所,重庆400060)
要:薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数(Q)高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特
点,适合于工作在1~10GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波(sAw)器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。
关键词:薄膜体声波谐振器;Q值;功率承受能力;高频应用;IC技术中图分类号:TN65
文献标识码:A
ThinFilmBulkAcoustic
Resonator(FBAR)Technology
HEJie,LIURong-gui,MAJin-yi
andAcousto-optic
andItsApplications
(StchuanInstituteofPiezoelectric
Technology,Chongqing400060,China)
Abstract:Thethmfdmbulkacousticwavedeviceshavethe
power
featuresofsmallsize,10wCOSt,highQvalue,high
can
handlingcapabilityandapplicationofhighfrequenciesandcompatibilitywithIC—technology.They
systemoperatingbetweenland10GHz.They
are
be
usedadvantageouslyinRF
expected
tO
replace
tra&tionalSAW
an
over-
devicesandmicrowaveceramicdevicesinthefuturewirelesscommunicationsystem.Thispaperpresents
viewoftheprincipleofFBARtechnologyanditsnew
developmentandapplications.Threedevice
structuresand
theirfabricationswereanalyzed.AbriefdiscussionofthefuturetrendsandchallengesofFBARtechnologyisalso
described.
Keywo州b:FBAR;Q-value;powerhandling
capability;applicationofhighfrequencies;IC-technology
随着现代无线通讯技术,特别是3G通讯技术的迅速发展及无线终端的多功能化(如GPS接收机、无线接人系统和高速语音、数据、图文与图像传输等),工作在射频波段的通讯器件的微型化,低功耗,低成本,集成化及高性能越来越受到人们的重视。传统的射频频率器件的解决方案主要是采用声表面波(SAW)技术和微波陶瓷技术。微波陶瓷器件成本低,器件性能高,但体积较大。SAW器件的电性能比微波陶瓷器件好,可再制性高,选择性好,体积小,但插入损耗大,功率承受能力小,性能随温度变化漂移[1]。且微波陶瓷器件和SAW器件均不能与硅集成技术兼容,难以实现系统的微型化和低功耗[2]。近年来,微电子机械系统(MEMS)技术的发展带来了精细的加工手段,这使系统向微型化方向发展[3]。基于MEMS技术的薄膜体声波谐振器(FBAR)[11正是解决系统微型化和低功耗的关键技术。由于体声波的传播速度比SAW的传播速度快,所以FBAR具有频率高(可达1~10GHz),体积小,换能效率高等优点。利用FBAR可制作滤波器、双工器、振荡器等多种高性能小体积表面贴装型微波器件,其电性能已达3G移动通讯的要求。此外,FBAR技术与半导体工艺兼容,易与射频系统前
收疆日期:2007-06-06
作者曹介:何杰(1968-),男,四川南部人,工程师。
端集成,从而实现射频系统的微型化。由于3G通讯技术及其发展要求采用单芯片解决方案,因此,FBAR技术是一种更可靠、更有效的“系统单芯片集成”解决方案,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的SAW器件和微波陶瓷器件,具有广阔的应用前景。
1
FBAR的原理及基本结构
FBAR是一种利用声学谐振实现电学选频的器
件。工作区由金属底电极一压电膜一金属上电极组成,器件工作于能陷一厚度振动模式,工作频率与压电材料的厚度成反比,如图1所示。
图1FBAR的基本结构
FBAR的基本工作原理:当电信号加载到FBAR上时,器件中的压电薄膜通过逆压电效应将电信号转变为声信号,器件特定的声学结构对不同频率的声信号呈现出选择性,其中在器件内满足声
波全反射条件的声信号将在器件内实现谐振,而不
万方数据
380
莲泡毒黪巍2007皴
满足谐振条件的声信号就会衰减,在频谱上与谐振声信号频率相差越多的声信号裘减越快。最后,在器件内幅度相位殴产生差舅麴声信号又通过压嗽薄膜筹毙铡瑰转变成输出电信号,邃样FBAR最终就表现出对电信号的选频作用。FBAR与工作在千赫兹~兆赫兹憋晶振孛晶体谐振器及陶瓷滤渡器中瓣陶瓷谐振器的工稼原理是相同的。不同的是,~方瑟,FBAR鼢攫激膜厚度在微米羹级,扶磷使其工作频率可提高到吉赫兹级。另一方面,由于压电膜太薄,使FBAR不可能象晶体谐振器那样由压电晶片暮承托上下迄极,因她FBAR必须有一个衬底,热工时先将金属岚瞧极蒸发或溅射到衬底上,然后在魄极上沉积压电薄貘,最詹再在蘧毫薄膜上形成金
属上电极。
FBAR的等效电路模型~般采用改进的巴特沃辫一范戴克(MBVD)模鍪,魏圈2掰示。其憾频嚷廑如图3所示,其中^和五为并联糯串联谐振频率。
一皇协
叫刖图2
FBAR黪MBVD模型
瓣3MBVD壤燮熬强羧璃应爱
有效机电耦合系数是孙和晶质因素Q是衡量FBAR性能最重要的指标,鼠
壹酝一等f艇了生{
(1)‘£、
,
Q一蛩
』p
(2)
器件的惫孙对器件性能的影响在插损及^和氕阕鹇带宽掰方瑟。磊毫越大,捶损越小,带宽越大。蠢纛燕要由压电膜树料的机电藕禽系数k:决定,弱
前瘸于FBAR豹糕电膜材料主要有A1N耩ZnO两种。这两种材料的主要性能参数如表1所永。由表可稽逛,A1N材料除k:略小予ZnO外,其健方西都优予ZnO,且AtN与半导体工艺兼容,因此产品级的FBAR器件都采用AlN誊|料。表中鼹种材料的蠢:值都是在膜材料中晶粒c轴取礴生长良好的情况下才具有的,而制备f轴取向良好的压电膜是研制F转AR的裁提稷蒸确。
万
方数据袭1A1N和ZnO的主要性能参数对比
除腰电膜材料的k;值外,对器件的愚:。会产生重要影响的因素j丕包括电极材料戆耱类、器度等。
Q主要由器件的声泄露决定。声泄露越少,Q值越大,器终的摇擐越小,FBAR滤波器戆逶带拐焦就越陡。不同研究者研制的FBAR器件在Q德上的差异较大。在FBAR器件造成声泄露的主要原蠢是誊季褒。衬褒麴存在提供了声瀵露的通道,如何在结构上阻断或减弱衬底造成的声泄露,从而掇离器终豹Q篷,是FBAR疆铡熬另外一个重要课题。
迄今为止,实现FBAR有横膈膜型、空气腔型和反射阵型三种结构(见图4)。树底材料一般选用离阻的巍材料,黻防噍赢电极静电澄箨或干扰。
图4
FBAR的三种基本结构
横膈膜型是FBAR研究早期采用较多的一种结构,它是裂焉Si誊砉辩的各淘异瞧,首先通过
MEMS方法对衬底树糕进行定向刻蚀,形成厚度为尼徽岽浮酶横藤膜,然麓在横膈膜送域钊备电檄秽压电薄膜。横膈膜结构的主要缺点:
(1)由于相比于工佟区域面积大褥多的衬底的移涂造成结构稳定性降低,可靠梭下降。
(2)出于横腈膜厚度对于压电膜厚度的比德避大,造戏较大懿声灌缮,献藤雩|莛Q毽降低。
空气腔型是目前用于产品最成功的结构形式,它是在娜王完电极和压电膜后通过移除它们下方的牺牲层鸯考料形成空气腔以此来减小声泄露。与横膈貘结构襁毙,该结构孛空气腔面积与工捧区面积接近l:l,丽横膈貘厚度匀疆电膜簿度之院可远小于1,从而在结构稳定性和Q值都较横膈膜结构有很
大提离。
第4期
何杰等:薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
381
反射阵型是基于布喇格谐振腔原理工作的结构形式。一方面,因声波会沿着衬底传播,故可在衬底上设置多个反射层,将声波能量尽量反射回去,当满足布喇格谐振条件时,声波就可在压电膜和反射层中形成驻波,从而实现谐振。另一方面,在声波传播过程中,当声阻抗不连续时,声波就会产生反射。声阻抗差异越大,反射效率越高。因此,在反射层材料的选择上,要采用声阻抗差异大的材料,金属W和Si0:是目前通用的材料。而反射层的厚度要满足布喇格谐振条件,即1/4波长。反射阵型在工艺上看似简单,但器件Q值完全依赖于反射层膜厚的精确控制和各膜层良好的一致性。
2
FBAR的应用及发展趋势
2.1
应用
目前FBAR的主要应用领域有PCS、CDMA和W—CDMA用射频滤波器和双工器,GPS接收机用滤波器及FBAR振荡器等。
2.1。1
FBAR滤波器
采用FBAR技术实现的滤波器具有工作频率高(1~10GHz)、损耗低(Q值达1000)、温度稳定性好,功率承受能力强(3W),体积小的特点。为提高频率选择性,将多个不同谐振频率的FBAR级联就可满足射频滤波器的技术要求[4]。目前,FBAR滤波器一般采用梯形结构、桥式结构及梯形结构和桥式结构的组合[5]三种基本结构,如图5所示。
FBAR
荔
输入
(I)梯形结构拓扑图(b)桥式结构拓扑图
矗
输入
FBAR
FBAR
(c)组合桥式・梯形滤波器的拓扑结构图5
FBAR滤波器网路拓扑结构
梯形FBAR滤波器结构是FBAR滤波器主要采用的结构,此结构的FBAR滤波器具有陡峭的抑制响应,但对无用频带的抑制较低。桥式结构采用的FBAR比梯形结构采用的FBAR多,因为根据传输函数,桥式结构需两个谐振器才能产生一个极和一个传输零点。桥式结构FBAR滤波器具有较低的滚降系数,但无用频带抑制比梯形结构更高。W—CDMA射频前端用FBAR滤波器拓扑结构是组合了梯形和桥式FBAR滤波器结构,采用这种组合结FBAR双工器
双工器在通讯系统中具有关键作用。目前,采
万
方数据用FBAR技术实现的双工器主要用于PCS,CDMA移动通讯。通过组合发射(Rx)滤波器和接收(Rx)滤波器可以构成双工器。图6为EPCOS公司设计的概念验证性PC孓CDMA双工器结构图。该双工器的大小为3.8
mm×3.8mmXl.1
mm,阻带特性
达到了10GHz,特性阻抗为50Q,频率温度系数
(TCF)为一20×10一6/K[61。
低噪声放大器
功率放大器
图6双工器拓扑结构
2.1.3
FBAR振荡器
无线通讯对低抖动率时钟和振荡器有广泛需求,在500MHz~5GHz频段内,基于FBAR技术实现的振荡器在器件大小,性能和成本等方面具有目前使用的声表面波振荡器和陶瓷振荡器无可比拟的优势,是声表面波和陶瓷振荡器理想的替代品。图7为采用串联谐振体声波谐振器振荡器原理图,其实现的频率达2GHz,大小为2.8
mm×2mm,工
作电流为1.2~1.5mA,工作电压大于2.7V,相位噪声在10kHz和100Hz漂移时分别为一99dBc/
Hz和一120dBc/Hz。器件可集成在系统封装的射
频器件内[7]。
图7
FBAR振荡器原理图
FBAR技术的发展趋势
利用FABR技术可实现滤波器、双工器及振荡
器这样的高性能小体积微波器件,且可将FBAR器成(SoC)技术
FBAR技术在实现射频器件的小型化方面是一G通讯系2.2
构的FBAR滤波器可实现无用频带的高度隔离且在接近通带的地方实现陡峭的响应。2.1.2件和低噪声功率放大器(LNA)、混频器等器件进行集成,从而研制出更高性能和更小体积的射频系统。2.2.1片上集成电路FBAR技术和系统单芯片集
大技术突破,然而,目前FBAR和辅助电路是单独制作的,通过键合工艺组装,因此,要进一步降低射频前端的体积仍面临一些问题。为满足3统对射频部件的微型化,低成本,集成化要求,提出
382
压电与声光
了片上集成电路(Above-IC)FBAR技术[83。这种集成技术可进一步降低高性能射频前端的体积和成本,使未来的“系统单芯片集成(SoC)”成为可能。
图8为采用BiCOMS和片上集成电路技术实现的验证性体声波滤波器射频前端。其电路包括一个单端输入LNA(可直接与双工器的单Rx通道连接),后接一个中等插损的单一差分单片平衡一不平衡变换器来驱动频率为2.14GHz的体声波带通滤波器。滤波器的输出连接到一个全差分混频器,混频器使射频信号向下变频至基带频率。整个射频前端的芯片面积仅2.44mm2(包括体声波滤波器)[2]。
图8采用BICMOS和片上集成电路技术实现的
FBAR滤波器射频前端
片上集成电路FBAR技术的开发为3G射频系统集成提供了可能性。图9为未来射频前端系统集成的验证性解决方案,采用这种方案可满足市场要求减少收发机和其他通讯电路外部无源元件数量的要求。然而,这种方案在技术实现上仍需解决的问题:
(1)如何实现功率放大器的集成。(2)单一差分体声波双工器的设计。
(3)如何设计滤波LNA以提高Tx和Rx链接之间的隔离度(磁和基片耦合)[9|。
瓣
零
中
频收发机
图9
系统单芯片集成射频前端
2.2.2
FBAR技术的高频应用
FBAR技术未来的另一个发展方向将是更高频段的应用。目前,大量的研究集中于工作在L波段和S波段的PCS、W—CDMA用FBAR器件的设计、制作及C波段应用上。这些应用都是基于FBAR的基本谐振模式,这就限制了滤波器的最大工作频率。如果采用更高次谐波模式,FBAR滤波器就可工作在更高频段上(Ku,K和Ka波段)。此外,采用更高次谐波谐振模式还可降低谐振器的机电耦合系数,从而限制滤波器的相对通带,这样,滤波器就适合于极小窄带选择应用。高次谐波模式的应用将会为体声波器件开辟新的应用领域。
3
FBAR技术面临的挑战
FBAR技术目前面临的挑战主要是设计和工艺
制作。从设计上说,目前FBAR采用的等效电路模
万
方数据型有Mason模型[103和MBVD模型‘11],但这两种模型都是一维模型。Mason模型采用物体的材料参数和物理结构来描述FBAR的特性阻抗,与当前微波电路仿真软件设计的要求不兼容,结果使其应用范围受到了一定限制。MBVD模型是目前普遍采用的等效电路模型,它使用36个集总参数元件来描述FBAR,便于达到一定的滤波器频率响应指标而对电路参数进行分析和优化电路参数的目的。但MBVD模型只能模拟FBAR谐振频率附近的阻抗特性,并不能给出整个频域的特性阻抗。采用这样的一维模型虽然能够获得谐振效应,电极负载效应和反射器叠层效率这样的直接信息,但却难以对横向振动模式和结构的几何图形产生的寄生现象进行有效预测。因此,必须开发出更复杂的算法以实现三维的互相耦合的电、声模拟从而达到要求的精度。
从工艺制作上说,首先,要制备一致性好,可靠
2|。同时,良好的压电膜仅是实现器件高性能的基础之一,在结构上实现最小的声泄露从而保证器件具有较高Q值是工艺面临的另率,必须通过控制各个堆积层,电极层和谐振层的拓扑结构来限制器件的大小;最后,为了能实现与声表面波器件的成本优势,未来的FBAR器件必须采用
cm晶片实现量产,这会给薄膜的沉积工艺带
3
结束语
FBAR技术涉及声波器件、材料、IC制造工艺、
微电机系统(MEMS)和无线通讯应用等众多学科,是一个多学科交叉的研究领域。本文综述了FBAR技术的基本原理和应用,分析了FBAR器件的三种基本结构及其制作方法,讨论了FBAR技术未来的发展趋势及面临的挑战。目前,FBAR器件的电性能已达3G移动通讯的要求,具有广阔的应用前景。当前世界许多国家都在积极研究FBAR技术,期望实现射频系统.的集成化,微型化和低成本。虽然FBAR技术的研究取得了相当突破,但在如何实现FBAR器件的三维模拟及薄膜的制备工艺上仍有许多问题有待探索和解决。参考文献:
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(下转第385页)
性高,具有可重复性耦合系数k:的ZnO和A1N薄膜是具有挑战性的[1一个难题。其次,为了尽可能地降低电容间耦合效20.32
来极大困难和压力。
第4期
魏巍等:一种新型120MHz微机补偿泛音晶体振荡器
385
补偿后
频率能较好地解决此问题。
这种振荡器设计方法打破了传统高频温度补偿晶体振荡器的设计局限,对晶体振荡器稳定度的进一步提高以及高频低相噪晶体振荡器的补偿十分有利,极具应用推广价值。参考文献:
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万方数据
薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用
作者:作者单位:刊名:英文刊名:年,卷(期):被引用次数:
何杰, 刘荣贵, 马晋毅, HE Jie, LIU Rong-gui, MA Jin-yi四川压电与声光技术研究所,重庆,400060压电与声光
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS2007,29(4)1次
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本文分析了软件无线电系统中的MEMS(Micro-Electric-Machine-Systems)解决方案、及其可应用于软件无线电系统中的MEMS器件,主要有对称锥形弯曲缝隙微带天线、用于G波段的微尺度宽频天线、微机械自适应帖片天线、高Q值、双频段MEMS开关、薄膜体声波谐振器、腔结构微机械谐振器、分布式MEMS传输线微机械滤波器等典型的MEMS器件,这些器件克服了普通射频器件体积大,功耗高等缺点,有望在软件无线电系统中得到应用.最后,对MEMS器件在软件无线电系统中的应用做了展望.
9.学位论文 宁金叶 FBAR用AlN薄膜的MOCVD制备 2009
与传统的介质滤波器和声表滤波器(SAW)相比,基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的滤波器具有体积小、工作频率高、插入损耗低、带外抑制大、Q值高、功率容量大、温度系数低、抗静电冲击能力强以及与半导体工艺兼容等优点,作为GHz频段带通滤波器的一种解决方案,FBAR已显示出广阔的应用前景。
压电薄膜是FBAR研制的关键,氮化铝(AlN)由于具有介电损耗小、机电耦合系数高、热膨胀系数与Si、GaAs等常用半导体材料相近等优异性质,而成为FBAR研制的首选材料。从目前的研究结果来看,AlN薄膜的质量极大地影响着FBAR及其滤波器的性能,其中,AlN薄膜的织构程度、结晶完整性对FBAR器件性能的影响最大,为此,人们围绕如何生长单-c轴取向的AlN薄膜开展了大量研究。
本论文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在蓝宝石衬底、Mo/Si衬底以及ZrN/Si衬底上沉积AlN薄膜,系统研究了工艺参数等对AlN薄膜晶体结构、微观组织、介电性能与压电特性的影响规律,主要研究成果如下:
首先,本论文在蓝宝石(0001)衬底上采用MOCVD生长AlN薄膜,系统研究了衬底温度、三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)的流量、反应室总压等工艺参数对AlN薄膜取向的影响规律,通过优化工艺参数,成功制备出了高度c轴取向、具有六方纤锌矿结构的AlN外延薄膜;其(0002)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)达到了0.10°,AlN与Al2O3的面内关系为AlN[3013]//Al2O3[3329];椭圆偏振法测量出AlN薄膜的折射率介于2.0到2.4之间。
其次,本论文采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上生长Mo薄膜,在优化条件下成功制备出了(110)择优取向的Mo薄膜。在此基础上,本论文进一步在Mo/Si衬底上采用MOCVD生长AlN薄膜,在950℃到1050℃的温度范围内成功制备出了c轴择优取向的AlN薄膜;介电常数介于8.9到11.8之间;损耗介于1.0%到2.0%之间;压电系数介于2.1到2.9之间。
最后,由于Mo电极上生长的AlN介电损耗过大,本论文选择ZrN作为新的底电极材料。通过优化射频磁控溅射工艺在Si基片上获得了(111)取向的ZrN薄膜。随后以ZrN/Si为衬底,在1000℃到1050℃的温度范围内采用MOCVD生长了c轴择优取向的AlN薄膜。研究结果显示:与在Mo/Si衬底上生长的AlN薄膜相比,由于AlN薄膜与ZrN之间的晶格失配度小,以ZrN为底电极所生长的AlN薄膜具有更加优良的介电性能与压电性能。AlN薄膜介电常数介于8.3到8.6之间;其损耗介于0.1%到0.6%之间;压电系数介于2.8到3.1之间。
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下载时间:2011年2月21日