一、 对讲机的工作原理如下
1、发射部分： 锁相环和压控振荡器（VCO ）产生发射的射频载波信号，经过缓冲放大，激励放大、功放，产生额定的射频功率，经过天线低通滤波器，抑制谐波成分，然后通过天线发射出去。
2、接收部分：接收部分为二次变频超外差方式，从天线输入的信号经过收发转换电路和带通滤波器后进行射频放大，在经过带通滤波器，进入一混频，将来自射频的放大信号与来自锁相环频率合成器电路的第一本振信号在第一混频器处混频并生成第一中频信号。第一中频信号通过晶体滤波器进一步消除邻道的杂波信号。滤波后的第一中频信号进入中频处理芯片，与第二本振信号再次混频生成第二中频信号，第二中频信号通过一个陶瓷滤波器滤除无用杂散信号后，被放大和鉴频，产生音频信号。音频信号通过放大、带通滤波器、去加重等电路，进入音量控制电路和功率放大器放大，驱动扬声器，得到人们所需的信息。
3、调制信号及调制电路：人的话音通过麦克风转换成音频的电信号，音频信号通过放大电路、预加重电路及带通滤波器进入压控振荡器直接进行调制。
4、信令处理：CPU 产生CTCSS/DTCSS信号经过放大调整，进入压控振荡器进行调制。接收鉴频后得到的低频信号，一部分经过放大和亚音频的带通滤波器进行滤波整形，进入CPU ，与预设值进行比较，将其结果控制音频功放和扬声器的输出。即如果与预置值相同，则打开扬声器，若不同，则关闭扬声器。对讲机有频率限制为保证绝大多数用户通话不受干扰以及合理地利用频率资源，国家无线台管理委员会对频率的使用进行了划分，规定不同的行业使用相应的频率范围。用户在购买对讲机的时候，要向当地的无线电管理委员会申请频点。 二、1008型对讲机简述
1008型调频对讲收音机，其原理相对比较简单，核心芯片是La1800，即收音接收专用集成电路，功放部分采用的是D2822芯片。总体可分为发射部分和接收部分，发射部分由锁相环和压控振荡器（VCO ）产生发射的射频载波信号，经过缓冲放大、激励放大、功放，产生额定的射频功率，经过天线低通滤波器，抑制谐波成分，然后通过天线TX 发射出去。接收部分为二次变频超外差方式，接收到的信号经带通滤波器后进行选频放大，然后进入混频电路再进入中放电路，经过解调电路得到想要的信号，然后经过放大进入扬声器，就可以听到我们想要
的声音。本系统既能收到电台又能相互对讲，具有造型美观、体积小、外围元件少、灵敏度极高、性能稳定、耗电省、输出功率大等优点。
三、分辨各类电子元器件
色环电阻
黑，棕，红，橙，黄，绿，蓝，紫，灰，白， 金， 银
0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7， 8， 9， 5%，10%
倒数第二环，表示零的个数。 色环电阻
最后一位，表示误差。
这个规律有一个巧记的口诀：棕一红二橙是三，四黄五绿六为蓝，七紫八灰九对白，黑是零，金五银十表误差
例如，红，黄，棕，金 表示240欧。
色环电阻分四环和五环，通常用四环。
倒数第二环，可以是金色（代表×0.1）和银色的（代表×0.01），最后一环误差可以是无色（20%）的。
五环电阻为精密电阻，前三环为数值，最后一环还是误差色环，通常也是金、银和棕三种颜色，金的误差为5%，银的误差为10%，棕色的误差为1%，无色的误差为20%，另外偶尔还有以绿色代表误差的，绿色的误差为0.5%。精密电阻通常用于军事，航天等方面。
色环实际上是早期为了帮助人们分辨不同阻值而设定的标准。现在应用还是很广泛的，如家用电器、电子仪表、电子设备中常常可以见到。
但由于色环电阻比较大，不适合现代高度集成的性能要求。
瓷片电容
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。按瓷介电容电介质又分:
1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容
器。EIA RS-198。
2优缺点优点：稳定，绝缘性好，耐高压缺点：容量比较小
3作用MLCC(1类) —微型化, 高频化, 超低损耗, 低ESR, 高稳定, 高耐压, 高绝缘, 高可靠, 无极性, 低容值, 低成本, 耐高温. 主要应用于高频电路中.
MLCC(2类) —微型化, 高比容, 中高压, 无极性, 高可靠, 耐高温, 低ESR, 低成本. 主要应用于中, 低频电路中作隔直, 耦合, 旁路和滤波等电容器使用。
4高压高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v 以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y 电容也是属于高压，DC6000v 以上为超高压 。
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。
5识别瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF) ，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF 。
如：102表示标称容量为1000pF 。
221表示标称容量为220pF 。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9" 表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J 表示容量为0.1 μF 、误差为±5%
电解电容
电解电容是电容的一种，金属箔为正极（铝或钽），与正极紧贴金属的氧化膜（氧化铝或五氧化二钽）是电介质，阴极由导电材料、电解质（电解质可以是液体或固体）和其他材料共同组成，因电解质是阴极的主要部分，电解电容因此而得名。同时电解电容正负不可接错。
1简介特点
电解电容器特点一：单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf 甚至几f （但不能和双电层电容比）。
电解电容器特点三：价格比其它种类具有压倒性优势，因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料，比如铝等等。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。常见的日系电解电容以Nippon
Chemi-con(黑金刚）、Nichicon （尼吉康）、Rubycon （红宝石）、Matsushita(松下电器，从2005年改为Panasonic) 、Hitachi （日立）、ELNA （埃尔纳，俗称依娜）为代表，台系电容则以LELON （立隆）、SUSCON （冠坤）、TEAPO （智宝）、CAPXON （丰宾）为代表，港系:SAMXON（万裕）, 国内以TH （华裕）、capsun(青佺电容 ) 、Beryl （绿宝石）、Acon （中元）、Chang （华威）、Xunda （讯达) 等为代表，欧美以ELEBASIC 、ITEDCON 、KENDEIL 、CDE 、BHC ，EVERALPHA 为代表。
原理
焊针型二脚和四脚电容
电解电容器通常是由金属箔（铝/钽）作为正电极，金属箔的绝缘氧化层（氧化铝/钽五氧化物）作为电介质，电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。铝电解电容器的负电极由浸过电解质液（液态电解质）的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成；钽电解电容器的负电极通常采用二氧化锰。由于均以电解质作为负电极（注意和电介质区分），电解电容器因而得名。 2应用 螺栓型电解电容
有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信号
耦合及时间常数设定、隔直流等作用。一般不能用于交流电源电路，在直流电源电路中作滤波电容使用时，其阳极（正极）应与电源电压的正极端相连接，阴极（负极）与电源电压的负极端相连接，不能接反，否则会损坏电容器。
无极性电解电容器通常用于音箱分频器电路、电视机S 校正电路及单相电动机的起动电路。
电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~1000μF ，额定工作电压范围为6.3~450V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。 电解电容的极性，注意观察在电解电容的侧面有“—”，是负极，如果电解电容上没有标明正负极，也可以根据它的引脚的长短来判断，长脚为正极，短脚为负极。
3发展 牛角和螺栓型电解电容
就现在的产量来说，铝电解电容器在电容器中占第二位。这类电容器本来是一般的直流电容器，但现 在已经从直流发展到交流、从低温发展到高温、从低压发展到高压、从 通用型发展到特殊型、从一般结构发展到片式、扁平、书本式等结构。其上限容量已扩展到4F 左右，使用频率已达到30kHz ，工作温度范围已达到-55℃—125℃，有的甚至高到150℃，额定电压己达到700V 。总之，铝电解电容器的发展越来越广。 导致这些发展的基础如下：
1、在材料上，现 在用的铝箔在成分和结构上都很考究。已经不再要求高纯，例如、对阳极箔，要求其纯度高到适当。为了提高起始腐蚀点数、机械强度及介质氧化膜的性能，箔中要适当的含有某些杂质．并有的采用合金箔。在结构上，对低压箔，不要求立方结构占的比例很大，但是对高压箔，则要求这种结构占到80%一90%以上。对阴极箔．为了提高其比容，则要求晶粒无规则取向的含杂量一定的合金铝箔。 工作电解液有三种成分构成．即溶剂、溶质和添加物，如已长期应用的电解液，其成分为乙二醇、甘油、硼酸和氨水。由于铝电解电容器的发展，这种电解液已远不能满足要求，故产生了许多新型电解液，以降低电容器的工作温度范围(如-55℃——l25℃) 。这些新型电解液的配方原则是：①用两种溶剂混合．以达到互补。②用两种弱酸，以提供所需的两种阴离子团。③加碱，如有机胺，以调整电解液的pH 值和闪火电压．改变其电阻率。④改进电解液特
性的添加物，如防止铝氧化膜发生水合作用的磷酸或其盐，吸收氢的二硝基苯等，提高电解液闪火电压的乙烯氧化物。
焊针型电解电容
2、在工艺上，除了已经实现生产机械化和自动化以外，铝电解电容器在工艺上的进展主要是腐蚀相赋能两个工艺。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压电容器箔已达100，高压者达25) ，而且可以根据对电容器的性能要求，腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类、浓度、温度、原箔成分、结构、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型、波形、频率、电压等的动态平衡工艺。问题是如何得出最佳的动态平衡和如何根据要求确定出最传平衡。因此，对现在的腐蚀工艺还不能说已经达到了最佳状态。
现 在的赋能工艺已经可以制造出优质的介质氧化膜，而且还可以根据要求不同，制造出不同的介质氧化膜，例如，对直流电容器，制造出γ和γ’型结晶氧化铝膜，对交流电容器，则为非晶膜。赋能工艺最大的进展是能将氢氧化铝膜转变成介质氧化铝膜、并能在其表面形成防水层。此外，还能消除介质膜的疵点和龟裂。
3、在结构上，铝电解电容器的结构已经多样化，除了上述液体铝电解电容器外．还有固体铝电解电容器。其结构形式主要有两种，一种是箔式卷绕形的，另一种是铝粉烧结多孔块状的，所用的固体电解质主要是MnO2。 铝电解电容器的结构已经多样化，如双阳极结构、对阴极结构、 书本式结构、三角式结构、片式结构。其中片式铝电解电容器的出现是铝电解电容器的又—进步。因为如果没有高比容的铝箔、耐高温的电解液、优异的密封结构和精细的加工技术，是很难制出合乎要求的片式铝电解电容器的，目的，其片式化率还处于比较低的水平。 4未来 超大型电解电容100*270mm
华裕电子的TH 牌700V 的电解电容及超大型高压大容量100*270mm已经被研发出来，capsun 以及TDK 研制出的YDK-700V 电容所用的材料为820V 的已经应用于日本capsun 集团的音响，这极具划时代意义，这意味着380V 整流出来后的537V 再也不用2只400V 的去串联。未来铝电解电容器的性能会随着科技的进步更进一步的发展。700V100uf 的正规电容体积通常为35*80-100MM或者50*80-96MM价位在22美元左右。目 前 应用于世界顶级的capsun ，YAMAHA 音响广泛出口到欧美高档酒店，价格1200美元到数百万美元一套的音响价格昂
贵，多应用于贵族家庭及酒店。小体积大容量的超级电容器也正逐步开发出来. 铝电解电容器漏电流的测试方法和测试条件为：在25℃，被测电容器串联一个1000Ω的保护电阻接于额定电压，测量漏电流。施加电压5 min后，漏电流不超过说明书的最大值为合格。小容量的铝电解电容器可以采用1min 测试结果，大容量的铝电解电容器将需要更长的测试时间，从特性曲线可以看到，电流将无限趋近于最终的“漏电流”值——补氧化铝介质需要的电流值。损耗因数损耗因数损耗因数损耗因数电解电容器的损耗因数(dissipation factor，DF) 可以理解为在交流电流激励下，电解电容器的无功功率和等效串联电阻(ESR)的有功功率。很显然，这是容抗与等效串联电阻(ESR)之比。交流电路中的RC 电路，而且这个比值非常像三角函数的对边比邻边——正切函数。因此，电解电容器的损耗因数(简称DF) 很多技术文献中也称为损耗角正切。铝电解电容器的电压指标主要有额定DC 电压、额定浪涌电压、瞬间过压和反向电压，
额定DC 电压VR 额定DC 电压VR 是电容器在额定温度范围内所允许的连续工作电压，它包括在电容器两电极间的直流电压和脉动电压或连续脉冲电压之和。通常，钽电容的额定电压在电容器表面标明。通常额定电压≤100V
T491B107M004AT 为“低压”钽电容，而额定电压≥150V 为“高压”电容器。三极管
三极管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件，
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode 的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J 型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V 型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其物半导体场效应晶体管 V 沟道场效应管 是 单极（Unipolar ）结构的，是和 双极（Bipolar ）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J 型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS 都是绝缘型的场效应管
VMOS 是在 MOS 的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V 型槽，使MOS 管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS 的输入电容，是MOS 管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS 发生了巨大的差异。VMOS 只有增强型的而没有MOS 所特有的耗尽型的MOS 管
工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN 和PNP 两种结构形式，但使用最多的是硅NPN 和锗PNP 两种三极管，（其中，N 表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p 是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN 硅管的电流放大原理。
对于NPN 管，它是由2块N 型半导体中间夹着一块P 型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN 结称为发射结, 而集电区与基区形成的PN 结称为集电结, 三条引线分别称为发射极e 、基极b 和集电极c 。
当b 点电位高于e 点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C 点电位高于b 点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec 要高于基极电源Ebo 。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
由于基区很薄, 加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic ，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb 重新补给，从而形成了基极电流Ibo. 根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib ，就可以在集电极上得到一个较大的Ic ，这就是所谓电流放大作用，Ic 与Ib 是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic 与基极电流的变化量△Ib 之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
三极管放大时管子内部的工作原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub 经过电阻Rb 加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie 。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic 。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流
Icn 。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo 来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
三极管的主要参数a. 特征频率fT
:当f= fT时, 三极管完全失去电流放大功能. 如果工作频率大于fT, 电路将不正常工作.
b. 工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
c. hFE
电流放大倍数.
d. VCEO
集电极发射极反向击穿电压, 表示临界饱和时的饱和电压.
e. PCM
最大允许耗散功率.
f. 封装形式
指定该管的外观形状, 如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
三极管的符号
中间横线是基极B ，另一斜线是集电极C ，带箭头的是发射极E 。
三极管的符号
三极管的命名
：
国产半导体器型号的命名方法（摘自国家标准GB249_74）
四、电路分析
驻极体在此起到传感器的作用，将变化着的声波转化为变化着的电信号。VT1选用9018，他主要对信号进行调制放大，由R1、R2、C1进行阻抗均衡，C2、C3、C4、C5、L1以及VT1构成一个LC 振荡电路，D1800作为收音接收专用集成电路，调频信号经C9耦合到其I9脚内进行混频，本振信号进入1脚形成本机震荡电路，L4、C 、C10、C11等元件构成成本的调谐回路。D2822作为功放电路的核心芯片，主要是对音频信号进行第二次功率放大，推动扬声器发出声音。VT2为D40，是专用发射管，可用9018替换。
五、焊接技术的学习和掌握 焊件表面处理
手工烙铁焊接中遇到的焊件是各种各样的电子零件和导线，
除非在规模生产条件下使用“保险期”内的电子元件，一般情况下遇到的焊件往往都需要进行表面清理工作，去除焊接面上的锈迹，油污，灰尘等影响焊接质量的杂质。手工操作中常用机械刮磨和酒精，丙酮擦洗等简单易行的方法。
预焊
预焊就是将要锡焊的元器件引线或导电的焊接部位预先用焊锡润湿，一般也称为镀锡，上锡，搪锡等。称预焊是准确的，因为其过程合机理都是锡焊的全过程——焊料润湿焊件表面，靠金属的扩散形成结合层后而使焊件表面“镀”上一层焊锡。
预焊并非锡焊不可缺少的操作，但对手工烙铁焊接特别是维修，调试，研制工作几乎可以说是必不可少的。
不要用过量的焊剂
适量的焊剂是必不可缺的，但不要认为越多越好。过量的松香不仅造成焊后焊点周围需要清洗的工作量，而且延长了加热时间（松香融化，挥发需要并带走热量），降低工作效率；而当加热时间不足时又容易夹杂到焊锡中形成“夹渣”缺陷；对开关元件的焊接，过量的焊剂容易流到触点处，从而造成接触不良。
合适的焊剂量应该是松香水仅能浸湿将要形成的焊点，不要让松香水透过印制板流到元件面或插座孔里（如IC 插座）。对使用松香芯的焊丝来说，基本不需要再涂焊剂。
保持烙铁头的清洁
因为焊接时烙铁头长期处于高温状态，又接触焊剂等受热分解的物质，其表面很容易氧化而形成一层黑色杂质，这些杂质几乎形成隔热层，使烙铁头失去加热作用。因此要随时在烙铁架上蹭去杂质。用一块湿布或湿海绵随时擦烙铁头，也是常用的方法。
加热要靠焊锡桥
非流水线作业中，一次焊接的焊点形状使多种多样的，我们不可能不断换烙铁头。要提高烙铁头加热的效率，需要形成热量传递的焊锡桥。所谓焊锡桥，就是靠烙铁上保留少量焊锡作为加热时烙铁头与焊件之间传热的桥梁。
显然由于金属液的导热效率远高于空气, 而使焊件很快被加热到焊接温度。 焊锡量要合适
过量的焊锡不但毫无必要地消耗了较贵的锡，而且增加了焊接时间，相应降低了工作速度。更为严重的是在高密度的电路中，过量的锡很容易造成不易察觉的短路。 但是焊锡过少不能形成牢固的结合，降低焊点强度，特别是在板上焊导线时，焊锡不足往往造成导线脱落。
焊件要牢固
在焊锡凝固之前不要使焊件移动或振动，特别使用镊子夹住焊件时一定要等焊锡凝固再移去镊子。这是因为焊锡凝固过程是结晶过程，根据结晶理论，在结晶期间受到外力（焊件移动）会改变结晶条件，导致晶体粗大，造成所谓“冷焊”。外观现象是表面无光泽呈豆渣状；焊点内部结构疏松，容易有气隙和裂隙，造成
焊点强度降低，导电性能差。因此，在焊锡凝固前一定要保持焊件静止，实际操作时可以用各种适宜的方法将焊件固定，或使用可靠的夹持措施。
烙铁撤离有讲究
烙铁处理要及时，而且撤离时的角度和方向对焊点形成有一定关系。
撤烙铁时轻轻旋转一下，可保持焊点适当的焊料，这需要在实际操作中体会。
常用的焊接工具：
（一）电烙铁：电烙铁是最常用的焊接工具。
（二）焊锡和助焊剂
焊接时，还需要焊锡和焊帮。
1、焊锡：焊接电子元件，一般采用有松香芯的焊锡丝。这种焊锡丝，熔点较低，而且内含松香助焊剂，使用极为方便。
２、焊帮：常用的焊帮是松香或松香水（将松香溶于酒精中）。使用焊帮，可以帮助清除金属表面的氧化物，利于焊接，又可保护烙铁头。焊接较大元件或导线时，也可采用焊锡膏。但它有一定腐蚀性，焊接后应及时清除残留物。
（三）辅助工具：为了方便焊接操作常采用尖嘴钳、偏口钳、波型钳、镊子和小刀等做为辅助工具。
焊接流程
一般先装低矮、耐热的元件，最后装集成电路。应按如下步骤进行焊接 :
（1）清查元器件的质量，并及时更换不合格的元件；
（2） 确定元件的安装方式，由孔距决定，并对照电路图核对电路板 ；
（3） 将元器件弯曲成形，本电路所有的电阻( 除 Rl2 外) 均采用立式插装 , 尽量将字符置于 易观察的位置 , 字符应从左到右，从上到下。以便于以后检查，将元件脚上锡，以便于焊接 ；
（4） 插装。应对照电路图对号插装, 有极性的元件要注意极性，如集成电路的脚位等；
（5） 焊接。各焊点加热时间及用锡量要适当，防止虚焊、错焊、短路。其中耳机插座、三极 管等焊接时要快 , 以免烫坏；
（6） 悍后剪去多余引脚，检查所有焊点，并对照电路图仔细检查 , 并确认无误
后方可通电。
六、调试情况说明
在实验过程中发现LED 灯没有亮，通过检查电路板发现LED 灯征服级性弄错了，长的对应正极，短的对应负极，经过了一段补救之后LED 灯还是成功的发光了。
七、心得
经过了这个小学期的培训是我感觉做任何事情都没有想象中的那么简单，电子元器件的焊接，在高中我们就又过了一定的接触，也试验焊过一些器件，但是刚开始焊接时还是遇到了一些困难，但是在其中我也感受到了莫大的乐趣，不管怎么说一天过得很快乐和充实，虽然那刺鼻的味道让我一晚上头昏脑涨。这几天的学习也是我对电路板的知识也有了一定的了解，电路板上的电路也可以看懂了一些。老师告诉我们一名熟练的焊工一个月可以赚到2万元左右的工资，但是回想起高中老师给我们放过的锡焊地段片和这一天的经历，在他们那样的速度下，一刻不定的重复着焊接的动作，从网上我知道一个焊点大概一毛钱左右。也就是说他们一个月最少20万个焊点，再加上逐利原则，一天最少上万个。
一、 对讲机的工作原理如下
1、发射部分： 锁相环和压控振荡器（VCO ）产生发射的射频载波信号，经过缓冲放大，激励放大、功放，产生额定的射频功率，经过天线低通滤波器，抑制谐波成分，然后通过天线发射出去。
2、接收部分：接收部分为二次变频超外差方式，从天线输入的信号经过收发转换电路和带通滤波器后进行射频放大，在经过带通滤波器，进入一混频，将来自射频的放大信号与来自锁相环频率合成器电路的第一本振信号在第一混频器处混频并生成第一中频信号。第一中频信号通过晶体滤波器进一步消除邻道的杂波信号。滤波后的第一中频信号进入中频处理芯片，与第二本振信号再次混频生成第二中频信号，第二中频信号通过一个陶瓷滤波器滤除无用杂散信号后，被放大和鉴频，产生音频信号。音频信号通过放大、带通滤波器、去加重等电路，进入音量控制电路和功率放大器放大，驱动扬声器，得到人们所需的信息。
3、调制信号及调制电路：人的话音通过麦克风转换成音频的电信号，音频信号通过放大电路、预加重电路及带通滤波器进入压控振荡器直接进行调制。
4、信令处理：CPU 产生CTCSS/DTCSS信号经过放大调整，进入压控振荡器进行调制。接收鉴频后得到的低频信号，一部分经过放大和亚音频的带通滤波器进行滤波整形，进入CPU ，与预设值进行比较，将其结果控制音频功放和扬声器的输出。即如果与预置值相同，则打开扬声器，若不同，则关闭扬声器。对讲机有频率限制为保证绝大多数用户通话不受干扰以及合理地利用频率资源，国家无线台管理委员会对频率的使用进行了划分，规定不同的行业使用相应的频率范围。用户在购买对讲机的时候，要向当地的无线电管理委员会申请频点。 二、1008型对讲机简述
1008型调频对讲收音机，其原理相对比较简单，核心芯片是La1800，即收音接收专用集成电路，功放部分采用的是D2822芯片。总体可分为发射部分和接收部分，发射部分由锁相环和压控振荡器（VCO ）产生发射的射频载波信号，经过缓冲放大、激励放大、功放，产生额定的射频功率，经过天线低通滤波器，抑制谐波成分，然后通过天线TX 发射出去。接收部分为二次变频超外差方式，接收到的信号经带通滤波器后进行选频放大，然后进入混频电路再进入中放电路，经过解调电路得到想要的信号，然后经过放大进入扬声器，就可以听到我们想要
的声音。本系统既能收到电台又能相互对讲，具有造型美观、体积小、外围元件少、灵敏度极高、性能稳定、耗电省、输出功率大等优点。
三、分辨各类电子元器件
色环电阻
黑，棕，红，橙，黄，绿，蓝，紫，灰，白， 金， 银
0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7， 8， 9， 5%，10%
倒数第二环，表示零的个数。 色环电阻
最后一位，表示误差。
这个规律有一个巧记的口诀：棕一红二橙是三，四黄五绿六为蓝，七紫八灰九对白，黑是零，金五银十表误差
例如，红，黄，棕，金 表示240欧。
色环电阻分四环和五环，通常用四环。
倒数第二环，可以是金色（代表×0.1）和银色的（代表×0.01），最后一环误差可以是无色（20%）的。
五环电阻为精密电阻，前三环为数值，最后一环还是误差色环，通常也是金、银和棕三种颜色，金的误差为5%，银的误差为10%，棕色的误差为1%，无色的误差为20%，另外偶尔还有以绿色代表误差的，绿色的误差为0.5%。精密电阻通常用于军事，航天等方面。
色环实际上是早期为了帮助人们分辨不同阻值而设定的标准。现在应用还是很广泛的，如家用电器、电子仪表、电子设备中常常可以见到。
但由于色环电阻比较大，不适合现代高度集成的性能要求。
瓷片电容
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。按瓷介电容电介质又分:
1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容
器。EIA RS-198。
2优缺点优点：稳定，绝缘性好，耐高压缺点：容量比较小
3作用MLCC(1类) —微型化, 高频化, 超低损耗, 低ESR, 高稳定, 高耐压, 高绝缘, 高可靠, 无极性, 低容值, 低成本, 耐高温. 主要应用于高频电路中.
MLCC(2类) —微型化, 高比容, 中高压, 无极性, 高可靠, 耐高温, 低ESR, 低成本. 主要应用于中, 低频电路中作隔直, 耦合, 旁路和滤波等电容器使用。
4高压高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v 以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y 电容也是属于高压，DC6000v 以上为超高压 。
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。
5识别瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF) ，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF 。
如：102表示标称容量为1000pF 。
221表示标称容量为220pF 。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9" 表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J 表示容量为0.1 μF 、误差为±5%
电解电容
电解电容是电容的一种，金属箔为正极（铝或钽），与正极紧贴金属的氧化膜（氧化铝或五氧化二钽）是电介质，阴极由导电材料、电解质（电解质可以是液体或固体）和其他材料共同组成，因电解质是阴极的主要部分，电解电容因此而得名。同时电解电容正负不可接错。
1简介特点
电解电容器特点一：单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf 甚至几f （但不能和双电层电容比）。
电解电容器特点三：价格比其它种类具有压倒性优势，因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料，比如铝等等。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。常见的日系电解电容以Nippon
Chemi-con(黑金刚）、Nichicon （尼吉康）、Rubycon （红宝石）、Matsushita(松下电器，从2005年改为Panasonic) 、Hitachi （日立）、ELNA （埃尔纳，俗称依娜）为代表，台系电容则以LELON （立隆）、SUSCON （冠坤）、TEAPO （智宝）、CAPXON （丰宾）为代表，港系:SAMXON（万裕）, 国内以TH （华裕）、capsun(青佺电容 ) 、Beryl （绿宝石）、Acon （中元）、Chang （华威）、Xunda （讯达) 等为代表，欧美以ELEBASIC 、ITEDCON 、KENDEIL 、CDE 、BHC ，EVERALPHA 为代表。
原理
焊针型二脚和四脚电容
电解电容器通常是由金属箔（铝/钽）作为正电极，金属箔的绝缘氧化层（氧化铝/钽五氧化物）作为电介质，电解电容器以其正电极的不同分为铝电解电容器和钽电解电容器。铝电解电容器的负电极由浸过电解质液（液态电解质）的薄纸/薄膜或电解质聚合物构成；钽电解电容器的负电极通常采用二氧化锰。由于均以电解质作为负电极（注意和电介质区分），电解电容器因而得名。 2应用 螺栓型电解电容
有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信号
耦合及时间常数设定、隔直流等作用。一般不能用于交流电源电路，在直流电源电路中作滤波电容使用时，其阳极（正极）应与电源电压的正极端相连接，阴极（负极）与电源电压的负极端相连接，不能接反，否则会损坏电容器。
无极性电解电容器通常用于音箱分频器电路、电视机S 校正电路及单相电动机的起动电路。
电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~1000μF ，额定工作电压范围为6.3~450V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。 电解电容的极性，注意观察在电解电容的侧面有“—”，是负极，如果电解电容上没有标明正负极，也可以根据它的引脚的长短来判断，长脚为正极，短脚为负极。
3发展 牛角和螺栓型电解电容
就现在的产量来说，铝电解电容器在电容器中占第二位。这类电容器本来是一般的直流电容器，但现 在已经从直流发展到交流、从低温发展到高温、从低压发展到高压、从 通用型发展到特殊型、从一般结构发展到片式、扁平、书本式等结构。其上限容量已扩展到4F 左右，使用频率已达到30kHz ，工作温度范围已达到-55℃—125℃，有的甚至高到150℃，额定电压己达到700V 。总之，铝电解电容器的发展越来越广。 导致这些发展的基础如下：
1、在材料上，现 在用的铝箔在成分和结构上都很考究。已经不再要求高纯，例如、对阳极箔，要求其纯度高到适当。为了提高起始腐蚀点数、机械强度及介质氧化膜的性能，箔中要适当的含有某些杂质．并有的采用合金箔。在结构上，对低压箔，不要求立方结构占的比例很大，但是对高压箔，则要求这种结构占到80%一90%以上。对阴极箔．为了提高其比容，则要求晶粒无规则取向的含杂量一定的合金铝箔。 工作电解液有三种成分构成．即溶剂、溶质和添加物，如已长期应用的电解液，其成分为乙二醇、甘油、硼酸和氨水。由于铝电解电容器的发展，这种电解液已远不能满足要求，故产生了许多新型电解液，以降低电容器的工作温度范围(如-55℃——l25℃) 。这些新型电解液的配方原则是：①用两种溶剂混合．以达到互补。②用两种弱酸，以提供所需的两种阴离子团。③加碱，如有机胺，以调整电解液的pH 值和闪火电压．改变其电阻率。④改进电解液特
性的添加物，如防止铝氧化膜发生水合作用的磷酸或其盐，吸收氢的二硝基苯等，提高电解液闪火电压的乙烯氧化物。
焊针型电解电容
2、在工艺上，除了已经实现生产机械化和自动化以外，铝电解电容器在工艺上的进展主要是腐蚀相赋能两个工艺。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压电容器箔已达100，高压者达25) ，而且可以根据对电容器的性能要求，腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类、浓度、温度、原箔成分、结构、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型、波形、频率、电压等的动态平衡工艺。问题是如何得出最佳的动态平衡和如何根据要求确定出最传平衡。因此，对现在的腐蚀工艺还不能说已经达到了最佳状态。
现 在的赋能工艺已经可以制造出优质的介质氧化膜，而且还可以根据要求不同，制造出不同的介质氧化膜，例如，对直流电容器，制造出γ和γ’型结晶氧化铝膜，对交流电容器，则为非晶膜。赋能工艺最大的进展是能将氢氧化铝膜转变成介质氧化铝膜、并能在其表面形成防水层。此外，还能消除介质膜的疵点和龟裂。
3、在结构上，铝电解电容器的结构已经多样化，除了上述液体铝电解电容器外．还有固体铝电解电容器。其结构形式主要有两种，一种是箔式卷绕形的，另一种是铝粉烧结多孔块状的，所用的固体电解质主要是MnO2。 铝电解电容器的结构已经多样化，如双阳极结构、对阴极结构、 书本式结构、三角式结构、片式结构。其中片式铝电解电容器的出现是铝电解电容器的又—进步。因为如果没有高比容的铝箔、耐高温的电解液、优异的密封结构和精细的加工技术，是很难制出合乎要求的片式铝电解电容器的，目的，其片式化率还处于比较低的水平。 4未来 超大型电解电容100*270mm
华裕电子的TH 牌700V 的电解电容及超大型高压大容量100*270mm已经被研发出来，capsun 以及TDK 研制出的YDK-700V 电容所用的材料为820V 的已经应用于日本capsun 集团的音响，这极具划时代意义，这意味着380V 整流出来后的537V 再也不用2只400V 的去串联。未来铝电解电容器的性能会随着科技的进步更进一步的发展。700V100uf 的正规电容体积通常为35*80-100MM或者50*80-96MM价位在22美元左右。目 前 应用于世界顶级的capsun ，YAMAHA 音响广泛出口到欧美高档酒店，价格1200美元到数百万美元一套的音响价格昂
贵，多应用于贵族家庭及酒店。小体积大容量的超级电容器也正逐步开发出来. 铝电解电容器漏电流的测试方法和测试条件为：在25℃，被测电容器串联一个1000Ω的保护电阻接于额定电压，测量漏电流。施加电压5 min后，漏电流不超过说明书的最大值为合格。小容量的铝电解电容器可以采用1min 测试结果，大容量的铝电解电容器将需要更长的测试时间，从特性曲线可以看到，电流将无限趋近于最终的“漏电流”值——补氧化铝介质需要的电流值。损耗因数损耗因数损耗因数损耗因数电解电容器的损耗因数(dissipation factor，DF) 可以理解为在交流电流激励下，电解电容器的无功功率和等效串联电阻(ESR)的有功功率。很显然，这是容抗与等效串联电阻(ESR)之比。交流电路中的RC 电路，而且这个比值非常像三角函数的对边比邻边——正切函数。因此，电解电容器的损耗因数(简称DF) 很多技术文献中也称为损耗角正切。铝电解电容器的电压指标主要有额定DC 电压、额定浪涌电压、瞬间过压和反向电压，
额定DC 电压VR 额定DC 电压VR 是电容器在额定温度范围内所允许的连续工作电压，它包括在电容器两电极间的直流电压和脉动电压或连续脉冲电压之和。通常，钽电容的额定电压在电容器表面标明。通常额定电压≤100V
T491B107M004AT 为“低压”钽电容，而额定电压≥150V 为“高压”电容器。三极管
三极管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件，
可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode 的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J 型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V 型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其物半导体场效应晶体管 V 沟道场效应管 是 单极（Unipolar ）结构的，是和 双极（Bipolar ）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J 型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS 都是绝缘型的场效应管
VMOS 是在 MOS 的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V 型槽，使MOS 管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS 的输入电容，是MOS 管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS 发生了巨大的差异。VMOS 只有增强型的而没有MOS 所特有的耗尽型的MOS 管
工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN 和PNP 两种结构形式，但使用最多的是硅NPN 和锗PNP 两种三极管，（其中，N 表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p 是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN 硅管的电流放大原理。
对于NPN 管，它是由2块N 型半导体中间夹着一块P 型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN 结称为发射结, 而集电区与基区形成的PN 结称为集电结, 三条引线分别称为发射极e 、基极b 和集电极c 。
当b 点电位高于e 点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C 点电位高于b 点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec 要高于基极电源Ebo 。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
由于基区很薄, 加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic ，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb 重新补给，从而形成了基极电流Ibo. 根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib ，就可以在集电极上得到一个较大的Ic ，这就是所谓电流放大作用，Ic 与Ib 是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic 与基极电流的变化量△Ib 之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
三极管放大时管子内部的工作原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub 经过电阻Rb 加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie 。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic 。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流
Icn 。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo 来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
三极管的主要参数a. 特征频率fT
:当f= fT时, 三极管完全失去电流放大功能. 如果工作频率大于fT, 电路将不正常工作.
b. 工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
c. hFE
电流放大倍数.
d. VCEO
集电极发射极反向击穿电压, 表示临界饱和时的饱和电压.
e. PCM
最大允许耗散功率.
f. 封装形式
指定该管的外观形状, 如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.
三极管的符号
中间横线是基极B ，另一斜线是集电极C ，带箭头的是发射极E 。
三极管的符号
三极管的命名
：
国产半导体器型号的命名方法（摘自国家标准GB249_74）
四、电路分析
驻极体在此起到传感器的作用，将变化着的声波转化为变化着的电信号。VT1选用9018，他主要对信号进行调制放大，由R1、R2、C1进行阻抗均衡，C2、C3、C4、C5、L1以及VT1构成一个LC 振荡电路，D1800作为收音接收专用集成电路，调频信号经C9耦合到其I9脚内进行混频，本振信号进入1脚形成本机震荡电路，L4、C 、C10、C11等元件构成成本的调谐回路。D2822作为功放电路的核心芯片，主要是对音频信号进行第二次功率放大，推动扬声器发出声音。VT2为D40，是专用发射管，可用9018替换。
五、焊接技术的学习和掌握 焊件表面处理
手工烙铁焊接中遇到的焊件是各种各样的电子零件和导线，
除非在规模生产条件下使用“保险期”内的电子元件，一般情况下遇到的焊件往往都需要进行表面清理工作，去除焊接面上的锈迹，油污，灰尘等影响焊接质量的杂质。手工操作中常用机械刮磨和酒精，丙酮擦洗等简单易行的方法。
预焊
预焊就是将要锡焊的元器件引线或导电的焊接部位预先用焊锡润湿，一般也称为镀锡，上锡，搪锡等。称预焊是准确的，因为其过程合机理都是锡焊的全过程——焊料润湿焊件表面，靠金属的扩散形成结合层后而使焊件表面“镀”上一层焊锡。
预焊并非锡焊不可缺少的操作，但对手工烙铁焊接特别是维修，调试，研制工作几乎可以说是必不可少的。
不要用过量的焊剂
适量的焊剂是必不可缺的，但不要认为越多越好。过量的松香不仅造成焊后焊点周围需要清洗的工作量，而且延长了加热时间（松香融化，挥发需要并带走热量），降低工作效率；而当加热时间不足时又容易夹杂到焊锡中形成“夹渣”缺陷；对开关元件的焊接，过量的焊剂容易流到触点处，从而造成接触不良。
合适的焊剂量应该是松香水仅能浸湿将要形成的焊点，不要让松香水透过印制板流到元件面或插座孔里（如IC 插座）。对使用松香芯的焊丝来说，基本不需要再涂焊剂。
保持烙铁头的清洁
因为焊接时烙铁头长期处于高温状态，又接触焊剂等受热分解的物质，其表面很容易氧化而形成一层黑色杂质，这些杂质几乎形成隔热层，使烙铁头失去加热作用。因此要随时在烙铁架上蹭去杂质。用一块湿布或湿海绵随时擦烙铁头，也是常用的方法。
加热要靠焊锡桥
非流水线作业中，一次焊接的焊点形状使多种多样的，我们不可能不断换烙铁头。要提高烙铁头加热的效率，需要形成热量传递的焊锡桥。所谓焊锡桥，就是靠烙铁上保留少量焊锡作为加热时烙铁头与焊件之间传热的桥梁。
显然由于金属液的导热效率远高于空气, 而使焊件很快被加热到焊接温度。 焊锡量要合适
过量的焊锡不但毫无必要地消耗了较贵的锡，而且增加了焊接时间，相应降低了工作速度。更为严重的是在高密度的电路中，过量的锡很容易造成不易察觉的短路。 但是焊锡过少不能形成牢固的结合，降低焊点强度，特别是在板上焊导线时，焊锡不足往往造成导线脱落。
焊件要牢固
在焊锡凝固之前不要使焊件移动或振动，特别使用镊子夹住焊件时一定要等焊锡凝固再移去镊子。这是因为焊锡凝固过程是结晶过程，根据结晶理论，在结晶期间受到外力（焊件移动）会改变结晶条件，导致晶体粗大，造成所谓“冷焊”。外观现象是表面无光泽呈豆渣状；焊点内部结构疏松，容易有气隙和裂隙，造成
焊点强度降低，导电性能差。因此，在焊锡凝固前一定要保持焊件静止，实际操作时可以用各种适宜的方法将焊件固定，或使用可靠的夹持措施。
烙铁撤离有讲究
烙铁处理要及时，而且撤离时的角度和方向对焊点形成有一定关系。
撤烙铁时轻轻旋转一下，可保持焊点适当的焊料，这需要在实际操作中体会。
常用的焊接工具：
（一）电烙铁：电烙铁是最常用的焊接工具。
（二）焊锡和助焊剂
焊接时，还需要焊锡和焊帮。
1、焊锡：焊接电子元件，一般采用有松香芯的焊锡丝。这种焊锡丝，熔点较低，而且内含松香助焊剂，使用极为方便。
２、焊帮：常用的焊帮是松香或松香水（将松香溶于酒精中）。使用焊帮，可以帮助清除金属表面的氧化物，利于焊接，又可保护烙铁头。焊接较大元件或导线时，也可采用焊锡膏。但它有一定腐蚀性，焊接后应及时清除残留物。
（三）辅助工具：为了方便焊接操作常采用尖嘴钳、偏口钳、波型钳、镊子和小刀等做为辅助工具。
焊接流程
一般先装低矮、耐热的元件，最后装集成电路。应按如下步骤进行焊接 :
（1）清查元器件的质量，并及时更换不合格的元件；
（2） 确定元件的安装方式，由孔距决定，并对照电路图核对电路板 ；
（3） 将元器件弯曲成形，本电路所有的电阻( 除 Rl2 外) 均采用立式插装 , 尽量将字符置于 易观察的位置 , 字符应从左到右，从上到下。以便于以后检查，将元件脚上锡，以便于焊接 ；
（4） 插装。应对照电路图对号插装, 有极性的元件要注意极性，如集成电路的脚位等；
（5） 焊接。各焊点加热时间及用锡量要适当，防止虚焊、错焊、短路。其中耳机插座、三极 管等焊接时要快 , 以免烫坏；
（6） 悍后剪去多余引脚，检查所有焊点，并对照电路图仔细检查 , 并确认无误
后方可通电。
六、调试情况说明
在实验过程中发现LED 灯没有亮，通过检查电路板发现LED 灯征服级性弄错了，长的对应正极，短的对应负极，经过了一段补救之后LED 灯还是成功的发光了。
七、心得
经过了这个小学期的培训是我感觉做任何事情都没有想象中的那么简单，电子元器件的焊接，在高中我们就又过了一定的接触，也试验焊过一些器件，但是刚开始焊接时还是遇到了一些困难，但是在其中我也感受到了莫大的乐趣，不管怎么说一天过得很快乐和充实，虽然那刺鼻的味道让我一晚上头昏脑涨。这几天的学习也是我对电路板的知识也有了一定的了解，电路板上的电路也可以看懂了一些。老师告诉我们一名熟练的焊工一个月可以赚到2万元左右的工资，但是回想起高中老师给我们放过的锡焊地段片和这一天的经历，在他们那样的速度下，一刻不定的重复着焊接的动作，从网上我知道一个焊点大概一毛钱左右。也就是说他们一个月最少20万个焊点，再加上逐利原则，一天最少上万个。