肖特基势垒：在一些情况、金属铬银钨铂与半导体表面的适应接触也会形成势垒。它是一种阻碍电子运动移动的电势能，其作用类似PN结，呈现PN结的非线性特性，但并不等同与PN结。 电导调制效应：当PN结通过正向大电流时，压降只用1V左右，这是因为在通过正向电流时，注入基区（通常是N型材料）有源逆变:如果将逆变电路的交流侧接到交流电网上，直流电逆变成与电网同频率的交流电反馈至电网上，称为~~
无源负载:如果将电路的交流侧直接与负载连接，将直流电逆变成某一频率或频率可调的交流电供给负载，称为~~ 掣住电流：在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转实现有源逆变必须同时具备两个条件：①一定要有直流电动势源，其极性必须与晶闸管的导通方向一致，且其值应大于变流器直流侧的平均电压Ud。②变流器必须工作在α>90的区间，使Ud
简述最小逆变角的选取要考虑的因素。（1）换相重叠角（2）晶闸管关断时间对应的电角度（3）安全裕量角。 电力电子器件特征：电力电子器件又称为功率器件，通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，功率一般远大于处理信息的电子器件的功率，一般工作在开关状态电力电子器件往往需要有信息电子电路来控制。 电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）驱动电路的基本任务就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为电力电子器件可以接受的信号，加在控制端和公共端之间。 过流保护：采用快速熔断器、直流快速熔断器和过电流继电器 缓冲电路又称为吸收电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。 晶闸管有三个电极，分别是（阳极），（阴极）和门极或栅极。
半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断） 全控型电力电子器件控制极既能控制器件的（导通），也能控制
库克变换电路的输出电压为
（Uo=-DUd/(1-D)），输出电流为
（Io=-(1-D)Id/D）。 根据输入直流电源特点，逆变电路分为（电压型）和（电流型）逆变电路。
根据换流方式，逆变电路分为（负载换流型）、（脉冲换流型）和（自换流型）逆变的空穴，浓度大大超过原始N型基片多子浓度，为了维持半导体的电中性条件，多子浓度也要相应大幅度增加，这意味着在此条件下，基片电阻率下降，所以导通电压较小。
二次击穿：发生一次击穿时，如果有外接电阻，限制电流Ic的增大，一般不会损坏GTR。但如果继续增大Uce，又不限制Ic的增长，当Ic上升到A点（临界值）时，Uce会突然下降而Ic继续增大（负阻效应），这个现象成为二次击穿。
安全工作区：指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流、电压的极限范围。按基级偏置分类可分为正偏安全工作区和反偏安全工作区。 逆变失败：逆变时一旦换相失败，外接直流电源就会通过晶闸管电路短路，或使变流器的输出平均电压和直流电动势逆变成顺向串联，形成很大的短路电流。 SPWM：用载波调制正弦波而获得脉冲宽度，按正弦规律变化有和正弦波等效的脉宽调制，PWM波形成为正弦脉宽调制。、 PWM技术：是控制半导体开关元件的通断时间比，即通过调节脉冲宽度或周期来实现控制输出电压的一种技术。
逆变电路：在实际应用中除了将交流电能变换成直流电能外，还需将直流电能换成交流电能，这种对应整流的逆向过程成为逆变。完成这一变换过程的电路成为逆变电路。
开关损耗：电力电子器件在由通态转为断态（关断过程）或由断态转为通态的转换过程中产生的损耗，分别成为关断损耗或开通损耗，总称为*
为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。普通晶闸管的关断时间约为几十到几百微秒。 晶闸管的额定电流：在环境温度为400和规定的冷却条件下，晶闸管在电阻性负载导通角不小于1700的单相工频正弦半波电路中，当结温稳定且不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流，称额定通态平均电流
功率集成电路：如果将电力电子器件于逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电路制作在同一芯片上，则称为*
维持电流：在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。
自然换相（流）点：是三相电路中各相晶闸管能被正常触发导通的最早时刻，在该点以前，对应的晶闸管因承受反压而不能触发导通，称为自然换流点
晶闸管断态电压临界上升率：晶闸管的结在阻断状态下相当于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，将会使元件误触发导通，因此对晶闸管必须规定允许的最大断态电压上升率。我们把在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率。
电力电子技术发展方向：大容量化、高频化、易驱动、降低导通压降、模块化、功率集成化。
在快速熔断时应考虑：电压等级应给据快速熔断后承受的电压来确定，电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路链接形式确定。快熔的I2t值应小于被保护器件的I2t值。为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间-电流特性。 触发电路必须满足以下要求：①触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管要求的数值，并留有一定的裕量。②触发脉冲应有一定的宽度且脉冲前沿应尽可能陡。③触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。④触发脉冲与主电路电源必须相同。
无源逆应用：感应加热、功率超声应用，电火花加工、列车照明、脉冲电镀电源、不间断电源、高频直流焊机、交流转动的变频调速、高频电子镇流器、快速充电等等。
有源逆变电路主要应用于直流电机的可逆调速、绕线转子异步电动机的串级调速、高压直流输电和太阳能发电等领域 逆变失败原因：1、触发电路工作不可靠，不能适时、准确的给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相。2、晶闸管发生故障，该断时不断、该通时不通。3、交流电源缺相或突然消失。4、换相的裕量角不足，引起换相失败。
电力电子技术其基本的转换形式和功能有以下四种：（1）整流与可控整流电路也称为交流/直流（ac/dc）变换电流。（2）直流斩波电路（3）逆变电路（4）交流变换电路 双向晶闸管有两个主电极和一个门极。
的双极型晶体管。
电力电子器件一般都需要做电气隔离处理，常用的方法有光电转换、磁电转换等。
晶闸管已被广泛应用于 可控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为低频（200Hz以下）、大功率变流装置中的主要器件。散热方式可采用风冷或水冷。 23、UDRM、URRM-正、反向断态重复峰值电压；
UDSM、URSM—正、反向断态不重复峰值电压；
UBO-正向转折电压；URO-反向转折电压。 直流斩波电路广泛应用于直流变速拖动中，如由直流电网供电的电气化铁路、地铁车辆、城市无轨电车和电动汽车。
晶闸管的通态平均电流IT（AV）-额定电流：晶闸管在环绕温度为40度和器件规定的冷却条件下，结温稳定且不超过额定结温时，在带电阻性负载，导通角不小于170o的单相工频正弦半波电路中，所允许的最大通态平均电流成为通态平均电流，也称为晶闸管的额定电流IT(AV)
GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含了数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元，这些小GTO单元的阴极和门极在器件内部并联在一起。 28、电力MOSFET无反向阻断能力，应用时如果漏源极之间必须承受反压，则电力MOSFET的电路中应串入快速二极管。 1、IGBT承受反向电压的能力很差，其反向阻断电压UBM只有几十伏，因此，大大的限制了他在高压场合的应用。 2、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。
的开关损耗 电阻性负载：把晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度a称为控制角。晶闸管在一个周期内导通的电角度用θ表示，称为导通角。α+θ=π
外因过电压：操作过电压、累击过电压：内因过电压：换相过电压、关断过电压。 GTR发生二次击穿损坏必须具备三个条件：高电压、大电流、持续时间。 波形系数：将电流波形有效值与平均值之比。
两种负载换流型逆变电路：串联式谐振逆变电路和并联式谐振逆变电路。串联式谐振逆变电路其输出电压为方波，负载电流波形接近正弦波；并联式谐振逆变电路输出电压接近正弦波，负载电流波形为方波
简述逆导晶闸管在使用时应注意的问题。答：（1）逆导晶闸管的反相击穿电压很低，只能适用于反向不需承受电压的场合（2）逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流区之间的隔离区。（3）逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额定电流表示 电力电子开关管的驱动：驱动器接受控制系统输出的控制信号经过处理后发出驱动信号给开关管，控制开关器件的通、断。（2）过流、过压保护：它包括器件保护和系统保护俩个方面。检测开关器件的电流、电压，保护主电路中的开关器件，防止过流、过压损坏开关器件。检测系统电源输入、输出以及负载的电流、电压，实时保护系统，防止系统崩溃而造成事故 51、电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。
器件的（关断）。
电力晶体管的安全工作区分为（正偏安全工作区）和（反偏安全工作区）。 IGBT的保护有（过电流保护），过电压保护和（过热保护）。 降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=DUd），升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=Ud/(1-D)）。 降压直流变换电路输出电压为（Uo=DUd），输出电流为（Io=Id/D）。
电力器件的换流方式有（器件换流），（电网换流），负载换流和脉冲换流。 负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。
电力电子电路有四种换流方式：器件换流、电网换流、负载换流、脉冲换流 常用的直流斩波器有：降压斩波器、升压斩波器、升降压斩波器、双象限斩波器、及四象限斩波器等。 直流斩波器的两种控制方式：①时间比控制方式②瞬时值和平均值控制。
按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。 6、GTO在门极（正脉冲电流触发下）导通，在门极（负脉冲电流触发下）关断。 晶闸管交流测过电压分为（交流侧操作过电压）和（交流测浪涌过电压）。 69、单相半波可控整流电路当控制角越大，波形系数（越大），输出电压平均值（越小）。
70、在升降压变换电路中，当0.5
电路。
电力二极管分类：普通二极管（反向恢复时间在5s以上）、快恢复二极管、肖特基二极管（反向恢复时间10-40ns
常用的均流措施有（电阻均流）和（电抗均流）两种。 75、单结晶体管的负阻特性是指（峰点）和（谷点）之间的特性。
76、PWM逆变电路有（异步调制）和（同步调制）两种控制方式。
有源逆变主要用于（直流电机的可逆调速）、（绕线型异步电动机的串级调速）和高压直流输电以及太阳能发电等。
肖特基势垒：在一些情况、金属铬银钨铂与半导体表面的适应接触也会形成势垒。它是一种阻碍电子运动移动的电势能，其作用类似PN结，呈现PN结的非线性特性，但并不等同与PN结。 电导调制效应：当PN结通过正向大电流时，压降只用1V左右，这是因为在通过正向电流时，注入基区（通常是N型材料）有源逆变:如果将逆变电路的交流侧接到交流电网上，直流电逆变成与电网同频率的交流电反馈至电网上，称为~~
无源负载:如果将电路的交流侧直接与负载连接，将直流电逆变成某一频率或频率可调的交流电供给负载，称为~~ 掣住电流：在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转实现有源逆变必须同时具备两个条件：①一定要有直流电动势源，其极性必须与晶闸管的导通方向一致，且其值应大于变流器直流侧的平均电压Ud。②变流器必须工作在α>90的区间，使Ud
简述最小逆变角的选取要考虑的因素。（1）换相重叠角（2）晶闸管关断时间对应的电角度（3）安全裕量角。 电力电子器件特征：电力电子器件又称为功率器件，通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，功率一般远大于处理信息的电子器件的功率，一般工作在开关状态电力电子器件往往需要有信息电子电路来控制。 电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）驱动电路的基本任务就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为电力电子器件可以接受的信号，加在控制端和公共端之间。 过流保护：采用快速熔断器、直流快速熔断器和过电流继电器 缓冲电路又称为吸收电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。 晶闸管有三个电极，分别是（阳极），（阴极）和门极或栅极。
半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断） 全控型电力电子器件控制极既能控制器件的（导通），也能控制
库克变换电路的输出电压为
（Uo=-DUd/(1-D)），输出电流为
（Io=-(1-D)Id/D）。 根据输入直流电源特点，逆变电路分为（电压型）和（电流型）逆变电路。
根据换流方式，逆变电路分为（负载换流型）、（脉冲换流型）和（自换流型）逆变的空穴，浓度大大超过原始N型基片多子浓度，为了维持半导体的电中性条件，多子浓度也要相应大幅度增加，这意味着在此条件下，基片电阻率下降，所以导通电压较小。
二次击穿：发生一次击穿时，如果有外接电阻，限制电流Ic的增大，一般不会损坏GTR。但如果继续增大Uce，又不限制Ic的增长，当Ic上升到A点（临界值）时，Uce会突然下降而Ic继续增大（负阻效应），这个现象成为二次击穿。
安全工作区：指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流、电压的极限范围。按基级偏置分类可分为正偏安全工作区和反偏安全工作区。 逆变失败：逆变时一旦换相失败，外接直流电源就会通过晶闸管电路短路，或使变流器的输出平均电压和直流电动势逆变成顺向串联，形成很大的短路电流。 SPWM：用载波调制正弦波而获得脉冲宽度，按正弦规律变化有和正弦波等效的脉宽调制，PWM波形成为正弦脉宽调制。、 PWM技术：是控制半导体开关元件的通断时间比，即通过调节脉冲宽度或周期来实现控制输出电压的一种技术。
逆变电路：在实际应用中除了将交流电能变换成直流电能外，还需将直流电能换成交流电能，这种对应整流的逆向过程成为逆变。完成这一变换过程的电路成为逆变电路。
开关损耗：电力电子器件在由通态转为断态（关断过程）或由断态转为通态的转换过程中产生的损耗，分别成为关断损耗或开通损耗，总称为*
为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。普通晶闸管的关断时间约为几十到几百微秒。 晶闸管的额定电流：在环境温度为400和规定的冷却条件下，晶闸管在电阻性负载导通角不小于1700的单相工频正弦半波电路中，当结温稳定且不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流，称额定通态平均电流
功率集成电路：如果将电力电子器件于逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电路制作在同一芯片上，则称为*
维持电流：在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。
自然换相（流）点：是三相电路中各相晶闸管能被正常触发导通的最早时刻，在该点以前，对应的晶闸管因承受反压而不能触发导通，称为自然换流点
晶闸管断态电压临界上升率：晶闸管的结在阻断状态下相当于一个电容，若突加一正向阳极电压，便会有一个充电电流流过结面，该充电电流经靠近阴极的PN结时，产生相当于触发电流的作用，如果这个电流过大，将会使元件误触发导通，因此对晶闸管必须规定允许的最大断态电压上升率。我们把在规定条件下，晶闸管直接从断态转换到通态的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率。
电力电子技术发展方向：大容量化、高频化、易驱动、降低导通压降、模块化、功率集成化。
在快速熔断时应考虑：电压等级应给据快速熔断后承受的电压来确定，电流容量应按照其在主电路中的接入方式和主电路链接形式确定。快熔的I2t值应小于被保护器件的I2t值。为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间-电流特性。 触发电路必须满足以下要求：①触发脉冲应有足够的功率，触发脉冲的电压和电流应大于晶闸管要求的数值，并留有一定的裕量。②触发脉冲应有一定的宽度且脉冲前沿应尽可能陡。③触发脉冲的相位应能在规定范围内移动。④触发脉冲与主电路电源必须相同。
无源逆应用：感应加热、功率超声应用，电火花加工、列车照明、脉冲电镀电源、不间断电源、高频直流焊机、交流转动的变频调速、高频电子镇流器、快速充电等等。
有源逆变电路主要应用于直流电机的可逆调速、绕线转子异步电动机的串级调速、高压直流输电和太阳能发电等领域 逆变失败原因：1、触发电路工作不可靠，不能适时、准确的给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相。2、晶闸管发生故障，该断时不断、该通时不通。3、交流电源缺相或突然消失。4、换相的裕量角不足，引起换相失败。
电力电子技术其基本的转换形式和功能有以下四种：（1）整流与可控整流电路也称为交流/直流（ac/dc）变换电流。（2）直流斩波电路（3）逆变电路（4）交流变换电路 双向晶闸管有两个主电极和一个门极。
的双极型晶体管。
电力电子器件一般都需要做电气隔离处理，常用的方法有光电转换、磁电转换等。
晶闸管已被广泛应用于 可控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为低频（200Hz以下）、大功率变流装置中的主要器件。散热方式可采用风冷或水冷。 23、UDRM、URRM-正、反向断态重复峰值电压；
UDSM、URSM—正、反向断态不重复峰值电压；
UBO-正向转折电压；URO-反向转折电压。 直流斩波电路广泛应用于直流变速拖动中，如由直流电网供电的电气化铁路、地铁车辆、城市无轨电车和电动汽车。
晶闸管的通态平均电流IT（AV）-额定电流：晶闸管在环绕温度为40度和器件规定的冷却条件下，结温稳定且不超过额定结温时，在带电阻性负载，导通角不小于170o的单相工频正弦半波电路中，所允许的最大通态平均电流成为通态平均电流，也称为晶闸管的额定电流IT(AV)
GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含了数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元，这些小GTO单元的阴极和门极在器件内部并联在一起。 28、电力MOSFET无反向阻断能力，应用时如果漏源极之间必须承受反压，则电力MOSFET的电路中应串入快速二极管。 1、IGBT承受反向电压的能力很差，其反向阻断电压UBM只有几十伏，因此，大大的限制了他在高压场合的应用。 2、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。
的开关损耗 电阻性负载：把晶闸管从承受正向电压起到触发导通之间的电角度a称为控制角。晶闸管在一个周期内导通的电角度用θ表示，称为导通角。α+θ=π
外因过电压：操作过电压、累击过电压：内因过电压：换相过电压、关断过电压。 GTR发生二次击穿损坏必须具备三个条件：高电压、大电流、持续时间。 波形系数：将电流波形有效值与平均值之比。
两种负载换流型逆变电路：串联式谐振逆变电路和并联式谐振逆变电路。串联式谐振逆变电路其输出电压为方波，负载电流波形接近正弦波；并联式谐振逆变电路输出电压接近正弦波，负载电流波形为方波
简述逆导晶闸管在使用时应注意的问题。答：（1）逆导晶闸管的反相击穿电压很低，只能适用于反向不需承受电压的场合（2）逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流区之间的隔离区。（3）逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额定电流表示 电力电子开关管的驱动：驱动器接受控制系统输出的控制信号经过处理后发出驱动信号给开关管，控制开关器件的通、断。（2）过流、过压保护：它包括器件保护和系统保护俩个方面。检测开关器件的电流、电压，保护主电路中的开关器件，防止过流、过压损坏开关器件。检测系统电源输入、输出以及负载的电流、电压，实时保护系统，防止系统崩溃而造成事故 51、电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。
器件的（关断）。
电力晶体管的安全工作区分为（正偏安全工作区）和（反偏安全工作区）。 IGBT的保护有（过电流保护），过电压保护和（过热保护）。 降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=DUd），升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=Ud/(1-D)）。 降压直流变换电路输出电压为（Uo=DUd），输出电流为（Io=Id/D）。
电力器件的换流方式有（器件换流），（电网换流），负载换流和脉冲换流。 负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。
电力电子电路有四种换流方式：器件换流、电网换流、负载换流、脉冲换流 常用的直流斩波器有：降压斩波器、升压斩波器、升降压斩波器、双象限斩波器、及四象限斩波器等。 直流斩波器的两种控制方式：①时间比控制方式②瞬时值和平均值控制。
按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。 6、GTO在门极（正脉冲电流触发下）导通，在门极（负脉冲电流触发下）关断。 晶闸管交流测过电压分为（交流侧操作过电压）和（交流测浪涌过电压）。 69、单相半波可控整流电路当控制角越大，波形系数（越大），输出电压平均值（越小）。
70、在升降压变换电路中，当0.5
电路。
电力二极管分类：普通二极管（反向恢复时间在5s以上）、快恢复二极管、肖特基二极管（反向恢复时间10-40ns
常用的均流措施有（电阻均流）和（电抗均流）两种。 75、单结晶体管的负阻特性是指（峰点）和（谷点）之间的特性。
76、PWM逆变电路有（异步调制）和（同步调制）两种控制方式。
有源逆变主要用于（直流电机的可逆调速）、（绕线型异步电动机的串级调速）和高压直流输电以及太阳能发电等。