元器件参数说明
一. 电阻............................................................ 1
二. 贴片电容 ........................................................ 2
三. 电感............................................................. 4
四. 磁珠............................................................. 5
五. 二极管........................................................... 6
六. 三极管........................................................... 8
七. 晶体............................................................. 9
八.IC.............................................................. 10
一. 电阻
电阻按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷) 上，然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围±0.5% ~10%，温度系数:±50PPM/℃ ~ ±400PPM/℃。 薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术) 制成，特点是低温度系数(±5PPM/℃) ，高精度(±0.01%～±1%)
常用的封装规格有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。其常规系列的精度为： D=0.5%，F=1%，J=5%。阻值范围从0.1欧姆到20M 欧姆。 标准阻值有E24，E96系列，
E24系列适用于允差±5%(J)的电阻、电容和电感数值（注：现也用于1%的电阻）；E96系列适用于允差±1%(F)的电阻数值
贴片电阻的功率是指：通过电流时由于焦耳热电阻产生的功率。
可根据焦耳定律算出：P=I2 R。
额定功率：是指在某个温度下最大允许使用的功率，通常指环境温度为70°C 时的额定功率。功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W 。
额定电压：可以根据以下公式求出额定电压：
额定电压(V)＝（额定功率(W)× 标称阻值(Ω)）^1/2
最高工作电压 ：允许加载在贴片电阻两端的最高电压。
不同电阻封装参数对照表：
图1 (-55 ~+125)功率及环境温度降额曲线图
图2 (-55 ~+155)功率及环境温度降额曲线图
注意事项 ：
∙ 设计和使用贴片电阻时，最大功率不能超过其额定功率，否则会降低其可靠性。 ∙ 一般按额定功率的70%降额设计使用。
∙ 也不能超过其最大工作电压，否则有击穿的危险。
∙ 一般按最高工作电压的75%降额设计使用。
当环境温度超过70°C ，必须按照降额曲线图(图1, 图2) 降额使用。
二. 贴片电容
贴片电容可分为无极性和有极性两类：
有极性电容主要指钽电容：
贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多。
无极性电容多为多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，主要有以下几种材质：
COG,X7R,X5R,Y5V 。
1.NPO 电容器
NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC 。NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
2. X7R电容器
X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC ，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
3. Z5U电容器
Z5U 电容器称为“通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL ）和等效串联电阻（ESR ）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
电容的温度与容量误差编码
电容主要参数：容量、损耗、绝缘电阻、ESR 、耐电压、耐电流、寿命、ESL 、温度系数。最主要的就是：容量、损耗、耐电压、绝缘电阻。
1. 标称电容量（ C R ）。电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在 5000pF 以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在 0.005uF~1.0uF ）；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。
2. 类别温度范围。电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。在电路设计中要考虑其温度范围，比如电源方面的电解电容在低于其工作温度后会失去其滤波功能，相当于开路。
3. 额定电压（ U R ）。在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高电压场时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质 / 电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。
4. 损耗角正切（ tg δ ）。在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。
5. 漏电流
漏电流主要针对电解电容而言。铝电解电容都存在漏电的情况，这是物理结构所决定的。漏电流越小越好。电容器容量愈高，漏电流就愈大；降低工作电压可降低漏电流。反过来选用更高耐压的品种也会有助于减小漏电流。结合上面的两个参数，相同条件下优先选取高耐压品种的确是一个简便可行的好方法；降低内阻、降低漏电流、降低损失角、增加寿命。但如果电解电容工作在远低于额定工作电压时，由于不能得到有效的足以维持电极跟电解液之间的退极化作用，会导致电解电容的极化而降低涟波电流，增大ESR ，从而提早老化。但是这个说法的前提是“远低于额定工作电压”，综合一些长期的实践经验来看，选取额定工作电压标称值的2/3左右为正常工作电压，是比较合理可行的。
6. ESR
等效串联电阻，此数值一般越小越好。因电容特性为电压不能突变，ESR 的存在导致电容两端的电压会产生突变。测量时一般选择100Hz 或120Hz 进行测试。
三. 电感
电感器的分类:
a. 按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈.
b. 按电感形式分类：固定电感线圈、可变电感线圈。
常见分类：片状电感功率电感
电感有用途：一是储能，二是通直流阻交流。
1. 电感量L 及精度
电感量L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH —100H 。
电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。对振荡线圈要求较高，为0.2-0.5％。对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15％。对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现。
2. 允许误差：电感量实际值与标称之差除以标称值所得的百分数。K ±10%,M ±20%
3. 感抗XL
电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL ，单位是欧姆。它与电感量L 和交流电频率f 的关系为XL=2πfL
4. 品质因素Q
品质因数Q 用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。对调谐回路线圈的Q 值要求较高，用高Q 值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性；用低Q 值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。Q 值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。一般均希望Q 值大，但提高线圈的Q 值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q 值提出适当的要求。
线圈的品质因数为：
Q=ωL/R 式中：
ω——工作角频；
L ——线圈的电感量；
R ——线圈的总损耗电阻线圈的总损耗电阻，它是由直流电阻、高频电阻(由集肤效应和邻近效应引起) 介质损 耗等所组成。
品质因素Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗XL 与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。线圈的Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q 值通常为几十到几百。采用磁芯线圈，多股粗线圈均可提高线圈的Q 值。
5. 分布电容
线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。
6. 标称电流：
指线圈允许通过的电流大小，通常用字母A 、B 、C 、D 、E 分别表示，标称电流值为50mA 、150mA 、300mA 、700mA 、1600mA 。
电感的选用：
1. 封装和电感量，一般一个PCB 板设计好之后，会知道电感的封装规格，是贴片还是插件，是否有EMI 要求，有些产品需要过认证，就必须要有EMI ，就是使用屏蔽式的电感；
2. 电流，当选好IC 之后，就会知道要用多大的电感量，需要过多大电流，电流方面，原则是能大不能小，电流小了，电感容易饱和和发烫；电流大一点不会有什么影响；
3. Q值，选用高Q 值的电感，但并不是越高越好， Q值过高会使电感产生谐振现象，从而损坏电感电容，所以一般都会要求Q 值在某个范围内；
四. 磁珠
采用在高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结面成，专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。
磁珠的主要参数:
标称值（阻抗[Z]）:因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。一般以100MHz 为标准，比如2012B601，就是指在100MHz 的时候磁珠的阻抗为600欧姆。
额定电流：能保证电路正常工作允许通过电流。
直流电阻：磁珠在直流工作环境下的阻值；
磁珠的选用：
1. 不需要的信号的频率范围为多少;
2. 噪声源是谁;
3. 需要多大的噪声衰减;
4. 环境条件是什么（温度, 直流电压, 结构强度）;
5. 电路和负载阻抗是多少;
6. 是否有空间在PCB 板上放置磁珠;
通过观察阻抗曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。
五. 二极管
常用的有： 整流二极管、检波二极管、光敏二极管、发光二极管、恒流二极管、稳压二极管等。
主要介绍发光二极管的分类：
1．按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2．按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。 圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的 发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：
（1）高指向性 一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。
（2）标准型 通常作指示灯用，其半值角为20°～45°。
（3）散射型 这是视角较大的指示灯，半值角为45°～90°或更大，散射剂的量较大。
3．按发光二极管的结构分
按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4．按发光强度和工作电流分
按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED （发光强度100mcd）；把发光强度在10～100mcd 间的叫高亮度发光二极管。一般LED 的工作电流在十几mA 至几十mA ，而低电流LED 的工作电流在2mA 以下（亮度与普通发光管相同）。
参数的意义
（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
（2）发光强度IV ：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd ）。由于一般 LED 的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
（3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度. 是指1/2峰值光强所对应两波长之间隔.
（4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角）。
（5）正向工作电流If ：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF 在0.6·IFm 以下。
（6）正向工作电压VF ：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF 在1.4～3V 。在外界温度升高时，VF 将下降。
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I 曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR
二极管的使用注意事项：
1. 二极管的极限参数有最高反向工作电压、最大整流电流、最大正向电流，使用二极管时，不允许超过这些极限值。否则二极管就有击穿、损坏的危险。为了确保电子设备的安全，提高其性能和可靠性，在使用二极管时，对其额定参数要降额使用，留有余量。
2. 使用小型管、片状管和玻璃管时，要更加小心，不要撞击摔落地上，严格控制焊接时间和温度，更不要用烙铁碰管外壳。
3. 在维修电器中如需要代换二极管，要选用同型号，同规格的二极管替换。如果要用其他型号代换，一定要对最大电流、最高反向工作电压、最高工作频率这三个参数值留有一定余量。最高反向工作电压最好为击穿电压的1/2。代换整流二极管时，主要看最大整流电流；代换检波管时，只要代替的检波二极管的工作频率不低于原型号管的工作频率均可使用；稳压管代换时，要注意稳压范围。
4. 锗管和硅管在特性上有差别，一般不宜互相代换。比如硅二极管的正向导通电压比锗二极管高许多；就是有些参数能满足要求，也不能完全可以代用。
5. 对一些特殊用途的二极管，使用时，除了注意共性的方面，还要特别注意特殊性一方面。比如激光二极管是特殊的发光器件，其管发出的激光对眼睛有伤害，激光管工作时，不要顺其光轴观看，确保人身安全。为了使激光二极管正常工作，避免损坏，使用时不要超过参数允许值；在激光二极管上串联限流电阻，并联旁路电容器；安装时，不易超过规定温度。
六. 三极管
三极管的主要参数
1.ICM 是集电极最大允许电流：
三极管工作时，当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM. 所以，在使用中当集电极电流IC 超过ICM 时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。
2. 反向击穿电压
三极管的两个PN 结，如反向电压超过规定值，也会发生击穿，其击穿原来和二极管类似，但三极管的击穿电压不仅与管子本身特性有关，而且还取决于外部电路的接法，常用的有下列几种：
V (BR)EBO是指集电极开路时发射极-基极检的反向击穿电压。在放大状态时，发射结是正偏。而在某些场合，例如工作在大信号或者开关状态时，发射结就有可能受到较大反向电压，所以要考虑发射结击穿电压的大小。V (BR)EBO就是发射结本身的击穿电压。
V (BR)CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，他决定与集电结的雪崩击穿电压，其数值较高。
V (BR)CBO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。这个电压的大小与三极管的穿透电流Iceo 直接相联系。当管子的Vce 增加时，Iceo 明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。
三极管发生电压击穿后，电路中的管子就不能正常工作，但管子并不一定损坏，只要不超过最大功率耗散Pcm ，而且进入击穿的时间很短时，管子的特性不会变坏，因此击穿过程还是可逆的。如果在击穿后继续增大Ic, 则管子很快就会进入二次击穿状态而损坏。
3. PCM是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作（工作点结）时，集电极电流在集电结上会产生热量三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM 下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有散热器情况下的参数。
4. 三极管频率参数:
1）截止频率f β、f α：当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率f β；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率f αo 。f β、f α是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：f β≈(1-α)f α。
2）特征频率ft ：晶体管的工作频率超过截止频率f β或f α时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指电流增益β值降为1时晶体管的工作频率。它是表征晶体管在高频时放大能力的一个基本参量。由于特征频率与电流有关，故必须考虑它随电流分布关系。
3）最高振荡频率fm ：由于一般晶体管的输出阻抗大于输入阻抗，因此，即使β≤1，它仍可以获得功率放大。为了说明晶体管工作频率上的限制，又专门定义功率增益等于1时的工作频率称为晶体管的最高振荡频率fm 。
5. 工作电压/电流：
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
6. hFE
hFE 称为直流电流放大倍数，hFE=IC / IB
是用来表示三极管输出与输入电流的倍数关系，即电流的输出放大能力大小的一个重要参数。不同型号的三极管，hFE 是不同的。选择三极管时，首先考虑 Vce ，Ic 一定时hfe 曲线平滑的管子
七. 晶体
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal （晶体），而有源晶振则叫做oscillator （振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC 共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V 电压来维持工作。
1、频率大小：
频率越高一般价格越高。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。总之频率的选择是根据需要选择，并不是频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz 的恒温晶振（OCXO ），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。至于范围，晶振的频率做的太高的话，就会失去意义，因为有其他更好的频率产品代替。
调整频差：在规定条件下，在基准温度（25±2℃）与标称频率允许的偏差。一般用PP 表示。
温度频差：指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差。用PPm 表示。
2、频率稳定度：
指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm （百万分之一）表示。一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。对于频率稳定度要求±20ppm 或以上的应用，可使用普通无补偿的晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO 。
3、电源电压：
常用的有1.8V 、2.5V 、3.3V 、5V 等，其中3.3V 应用最广。
4、工作温度范围：
工业级标准规定的-40～+85℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-20℃～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。对于某些特殊场合如航天军用等，对温度有更苛刻的要求。
5、相位噪声和抖动：
相位噪声和抖动是对同一种现象的两种不同的定量方式，是对短期稳定度的真实度量。振荡器以及其它利用基波或谐波方式的晶体振荡器具有最好的相位噪声性能。采用锁相环合成器产生输出频率的振荡器比采用非锁相环技术的振荡器一般呈现较差的相位噪声性能。但相对的，拥有好的相位噪声和抖动的同时振荡器的设计复杂，体积大，频率低，造价高。实际上相位噪声和抖动是短期频率稳定度的度量，所以一般越高端的晶振，即频稳越好的晶振，这些指标也相应越好。
6、封装：
与其它电子元件相似，石英振荡器亦采用愈来愈小型的封装。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。振荡器有插件(DIP)、贴片(SMD)封装，插件如长方形的DIP14封装，正方形的DIP8封装等，贴片有7.0*5.0、6.0*3.5mm，5.0*3.2mm，3.2*2.5mm，2.5*2.0mm等封装。
7、老化率：
随着时间的推移，频率值随着变化的大小，有年老化和日老化两种指标。
8、激励电平的影响
实际上，所有晶体元件的频率都在一定程度上随激励电平变化而变化(微量变化) ，一般来说，AT 切晶体的频率会随激励电平增大而略有升高。过高的激励电平会导致谐振器温度特性的畸变，并激活寄生模。过高的激励使晶体发热和应力过大，从而产生不可逆的频率漂移。
非常低的激励电平（数微瓦或更低）下，晶体元件的谐振电阻可能比在额定激励电平下电阻值高很多，以致使振荡器越振越困难。这种效应经过一段非工作状态的贮存后会加剧，这就是激励电平相关性（DLD ）。因此，晶体在电路中实际使用的激励电平不应过大和过小。
下面是IEC 推荐的激励功率的常用值。
2mw 、1mw 、0.1mw （100μw ）、0.05mw （50μw ）、0.02mw （20μw ）、0.01mw （10μw ）、0.001 mw(1μw)
优选值 5MHz以下 500μw ，以上一般 100μw 。
八.IC
电源IC 主要参数：输入电压，输出电压，输出电流，转换效率，使能电压，反馈电压，工作温度，存储温度等。还包括静态工作电压，谐振频率，关断输出电流，导通电阻R DS(ON)
其余IC 主要参数：工作电压，工作电流，工作温度，工作频率，最大消耗功率，元件封装等。
元器件参数说明
一. 电阻............................................................ 1
二. 贴片电容 ........................................................ 2
三. 电感............................................................. 4
四. 磁珠............................................................. 5
五. 二极管........................................................... 6
六. 三极管........................................................... 8
七. 晶体............................................................. 9
八.IC.............................................................. 10
一. 电阻
电阻按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷) 上，然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围±0.5% ~10%，温度系数:±50PPM/℃ ~ ±400PPM/℃。 薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术) 制成，特点是低温度系数(±5PPM/℃) ，高精度(±0.01%～±1%)
常用的封装规格有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。其常规系列的精度为： D=0.5%，F=1%，J=5%。阻值范围从0.1欧姆到20M 欧姆。 标准阻值有E24，E96系列，
E24系列适用于允差±5%(J)的电阻、电容和电感数值（注：现也用于1%的电阻）；E96系列适用于允差±1%(F)的电阻数值
贴片电阻的功率是指：通过电流时由于焦耳热电阻产生的功率。
可根据焦耳定律算出：P=I2 R。
额定功率：是指在某个温度下最大允许使用的功率，通常指环境温度为70°C 时的额定功率。功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W 。
额定电压：可以根据以下公式求出额定电压：
额定电压(V)＝（额定功率(W)× 标称阻值(Ω)）^1/2
最高工作电压 ：允许加载在贴片电阻两端的最高电压。
不同电阻封装参数对照表：
图1 (-55 ~+125)功率及环境温度降额曲线图
图2 (-55 ~+155)功率及环境温度降额曲线图
注意事项 ：
∙ 设计和使用贴片电阻时，最大功率不能超过其额定功率，否则会降低其可靠性。 ∙ 一般按额定功率的70%降额设计使用。
∙ 也不能超过其最大工作电压，否则有击穿的危险。
∙ 一般按最高工作电压的75%降额设计使用。
当环境温度超过70°C ，必须按照降额曲线图(图1, 图2) 降额使用。
二. 贴片电容
贴片电容可分为无极性和有极性两类：
有极性电容主要指钽电容：
贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多。
无极性电容多为多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，主要有以下几种材质：
COG,X7R,X5R,Y5V 。
1.NPO 电容器
NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC 。NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
2. X7R电容器
X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC ，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
3. Z5U电容器
Z5U 电容器称为“通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL ）和等效串联电阻（ESR ）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。
电容的温度与容量误差编码
电容主要参数：容量、损耗、绝缘电阻、ESR 、耐电压、耐电流、寿命、ESL 、温度系数。最主要的就是：容量、损耗、耐电压、绝缘电阻。
1. 标称电容量（ C R ）。电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在 5000pF 以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在 0.005uF~1.0uF ）；通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。
2. 类别温度范围。电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。在电路设计中要考虑其温度范围，比如电源方面的电解电容在低于其工作温度后会失去其滤波功能，相当于开路。
3. 额定电压（ U R ）。在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高电压场时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质 / 电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。
4. 损耗角正切（ tg δ ）。在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。
5. 漏电流
漏电流主要针对电解电容而言。铝电解电容都存在漏电的情况，这是物理结构所决定的。漏电流越小越好。电容器容量愈高，漏电流就愈大；降低工作电压可降低漏电流。反过来选用更高耐压的品种也会有助于减小漏电流。结合上面的两个参数，相同条件下优先选取高耐压品种的确是一个简便可行的好方法；降低内阻、降低漏电流、降低损失角、增加寿命。但如果电解电容工作在远低于额定工作电压时，由于不能得到有效的足以维持电极跟电解液之间的退极化作用，会导致电解电容的极化而降低涟波电流，增大ESR ，从而提早老化。但是这个说法的前提是“远低于额定工作电压”，综合一些长期的实践经验来看，选取额定工作电压标称值的2/3左右为正常工作电压，是比较合理可行的。
6. ESR
等效串联电阻，此数值一般越小越好。因电容特性为电压不能突变，ESR 的存在导致电容两端的电压会产生突变。测量时一般选择100Hz 或120Hz 进行测试。
三. 电感
电感器的分类:
a. 按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈.
b. 按电感形式分类：固定电感线圈、可变电感线圈。
常见分类：片状电感功率电感
电感有用途：一是储能，二是通直流阻交流。
1. 电感量L 及精度
电感量L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH —100H 。
电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。对振荡线圈要求较高，为0.2-0.5％。对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15％。对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现。
2. 允许误差：电感量实际值与标称之差除以标称值所得的百分数。K ±10%,M ±20%
3. 感抗XL
电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL ，单位是欧姆。它与电感量L 和交流电频率f 的关系为XL=2πfL
4. 品质因素Q
品质因数Q 用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。对调谐回路线圈的Q 值要求较高，用高Q 值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性；用低Q 值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。Q 值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。一般均希望Q 值大，但提高线圈的Q 值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q 值提出适当的要求。
线圈的品质因数为：
Q=ωL/R 式中：
ω——工作角频；
L ——线圈的电感量；
R ——线圈的总损耗电阻线圈的总损耗电阻，它是由直流电阻、高频电阻(由集肤效应和邻近效应引起) 介质损 耗等所组成。
品质因素Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗XL 与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。线圈的Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q 值通常为几十到几百。采用磁芯线圈，多股粗线圈均可提高线圈的Q 值。
5. 分布电容
线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。
6. 标称电流：
指线圈允许通过的电流大小，通常用字母A 、B 、C 、D 、E 分别表示，标称电流值为50mA 、150mA 、300mA 、700mA 、1600mA 。
电感的选用：
1. 封装和电感量，一般一个PCB 板设计好之后，会知道电感的封装规格，是贴片还是插件，是否有EMI 要求，有些产品需要过认证，就必须要有EMI ，就是使用屏蔽式的电感；
2. 电流，当选好IC 之后，就会知道要用多大的电感量，需要过多大电流，电流方面，原则是能大不能小，电流小了，电感容易饱和和发烫；电流大一点不会有什么影响；
3. Q值，选用高Q 值的电感，但并不是越高越好， Q值过高会使电感产生谐振现象，从而损坏电感电容，所以一般都会要求Q 值在某个范围内；
四. 磁珠
采用在高频段具有良好阻抗特性的铁氧体材料烧结面成，专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。
磁珠的主要参数:
标称值（阻抗[Z]）:因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。一般以100MHz 为标准，比如2012B601，就是指在100MHz 的时候磁珠的阻抗为600欧姆。
额定电流：能保证电路正常工作允许通过电流。
直流电阻：磁珠在直流工作环境下的阻值；
磁珠的选用：
1. 不需要的信号的频率范围为多少;
2. 噪声源是谁;
3. 需要多大的噪声衰减;
4. 环境条件是什么（温度, 直流电压, 结构强度）;
5. 电路和负载阻抗是多少;
6. 是否有空间在PCB 板上放置磁珠;
通过观察阻抗曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。
五. 二极管
常用的有： 整流二极管、检波二极管、光敏二极管、发光二极管、恒流二极管、稳压二极管等。
主要介绍发光二极管的分类：
1．按发光管发光颜色分
按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2．按发光管出光面特征分
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。 圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的 发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：
（1）高指向性 一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。
（2）标准型 通常作指示灯用，其半值角为20°～45°。
（3）散射型 这是视角较大的指示灯，半值角为45°～90°或更大，散射剂的量较大。
3．按发光二极管的结构分
按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4．按发光强度和工作电流分
按发光强度和工作电流分有普通亮度的LED （发光强度100mcd）；把发光强度在10～100mcd 间的叫高亮度发光二极管。一般LED 的工作电流在十几mA 至几十mA ，而低电流LED 的工作电流在2mA 以下（亮度与普通发光管相同）。
参数的意义
（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
（2）发光强度IV ：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd ）。由于一般 LED 的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
（3）光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度. 是指1/2峰值光强所对应两波长之间隔.
（4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。半值角的2倍为视角（或称半功率角）。
（5）正向工作电流If ：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF 在0.6·IFm 以下。
（6）正向工作电压VF ：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF 在1.4～3V 。在外界温度升高时，VF 将下降。
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I 曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR
二极管的使用注意事项：
1. 二极管的极限参数有最高反向工作电压、最大整流电流、最大正向电流，使用二极管时，不允许超过这些极限值。否则二极管就有击穿、损坏的危险。为了确保电子设备的安全，提高其性能和可靠性，在使用二极管时，对其额定参数要降额使用，留有余量。
2. 使用小型管、片状管和玻璃管时，要更加小心，不要撞击摔落地上，严格控制焊接时间和温度，更不要用烙铁碰管外壳。
3. 在维修电器中如需要代换二极管，要选用同型号，同规格的二极管替换。如果要用其他型号代换，一定要对最大电流、最高反向工作电压、最高工作频率这三个参数值留有一定余量。最高反向工作电压最好为击穿电压的1/2。代换整流二极管时，主要看最大整流电流；代换检波管时，只要代替的检波二极管的工作频率不低于原型号管的工作频率均可使用；稳压管代换时，要注意稳压范围。
4. 锗管和硅管在特性上有差别，一般不宜互相代换。比如硅二极管的正向导通电压比锗二极管高许多；就是有些参数能满足要求，也不能完全可以代用。
5. 对一些特殊用途的二极管，使用时，除了注意共性的方面，还要特别注意特殊性一方面。比如激光二极管是特殊的发光器件，其管发出的激光对眼睛有伤害，激光管工作时，不要顺其光轴观看，确保人身安全。为了使激光二极管正常工作，避免损坏，使用时不要超过参数允许值；在激光二极管上串联限流电阻，并联旁路电容器；安装时，不易超过规定温度。
六. 三极管
三极管的主要参数
1.ICM 是集电极最大允许电流：
三极管工作时，当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM. 所以，在使用中当集电极电流IC 超过ICM 时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。
2. 反向击穿电压
三极管的两个PN 结，如反向电压超过规定值，也会发生击穿，其击穿原来和二极管类似，但三极管的击穿电压不仅与管子本身特性有关，而且还取决于外部电路的接法，常用的有下列几种：
V (BR)EBO是指集电极开路时发射极-基极检的反向击穿电压。在放大状态时，发射结是正偏。而在某些场合，例如工作在大信号或者开关状态时，发射结就有可能受到较大反向电压，所以要考虑发射结击穿电压的大小。V (BR)EBO就是发射结本身的击穿电压。
V (BR)CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，他决定与集电结的雪崩击穿电压，其数值较高。
V (BR)CBO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。这个电压的大小与三极管的穿透电流Iceo 直接相联系。当管子的Vce 增加时，Iceo 明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。
三极管发生电压击穿后，电路中的管子就不能正常工作，但管子并不一定损坏，只要不超过最大功率耗散Pcm ，而且进入击穿的时间很短时，管子的特性不会变坏，因此击穿过程还是可逆的。如果在击穿后继续增大Ic, 则管子很快就会进入二次击穿状态而损坏。
3. PCM是集电极最大允许耗散功率。
三极管在工作（工作点结）时，集电极电流在集电结上会产生热量三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于PCM 下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有散热器情况下的参数。
4. 三极管频率参数:
1）截止频率f β、f α：当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率f β；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率f αo 。f β、f α是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：f β≈(1-α)f α。
2）特征频率ft ：晶体管的工作频率超过截止频率f β或f α时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指电流增益β值降为1时晶体管的工作频率。它是表征晶体管在高频时放大能力的一个基本参量。由于特征频率与电流有关，故必须考虑它随电流分布关系。
3）最高振荡频率fm ：由于一般晶体管的输出阻抗大于输入阻抗，因此，即使β≤1，它仍可以获得功率放大。为了说明晶体管工作频率上的限制，又专门定义功率增益等于1时的工作频率称为晶体管的最高振荡频率fm 。
5. 工作电压/电流：
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
6. hFE
hFE 称为直流电流放大倍数，hFE=IC / IB
是用来表示三极管输出与输入电流的倍数关系，即电流的输出放大能力大小的一个重要参数。不同型号的三极管，hFE 是不同的。选择三极管时，首先考虑 Vce ，Ic 一定时hfe 曲线平滑的管子
七. 晶体
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal （晶体），而有源晶振则叫做oscillator （振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC 共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V 电压来维持工作。
1、频率大小：
频率越高一般价格越高。但频率越高，频差越大，从综合角度考虑，一般工程师会选用频率低但稳定的晶振，自己做倍频电路。总之频率的选择是根据需要选择，并不是频率越大就越好。要看具体需求。比如基站中一般用10MHz 的恒温晶振（OCXO ），因其有很好的频率稳定性，属于高端晶振。至于范围，晶振的频率做的太高的话，就会失去意义，因为有其他更好的频率产品代替。
调整频差：在规定条件下，在基准温度（25±2℃）与标称频率允许的偏差。一般用PP 表示。
温度频差：指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差。用PPm 表示。
2、频率稳定度：
指在规定的工作温度范围内，与标称频率允许的偏差，用PPm （百万分之一）表示。一般来说，稳定度越高或温度范围越宽，价格越高。对于频率稳定度要求±20ppm 或以上的应用，可使用普通无补偿的晶体振荡器。对于介于±1 至±20ppm 的稳定度，应该考虑温补晶振TCXO 。对于低于±1ppm 的稳定度，应该考虑恒温晶振OCXO 。
3、电源电压：
常用的有1.8V 、2.5V 、3.3V 、5V 等，其中3.3V 应用最广。
4、工作温度范围：
工业级标准规定的-40～+85℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯，倘若-20℃～+70℃已经够用，那么就不必去追求更宽的温度范围。对于某些特殊场合如航天军用等，对温度有更苛刻的要求。
5、相位噪声和抖动：
相位噪声和抖动是对同一种现象的两种不同的定量方式，是对短期稳定度的真实度量。振荡器以及其它利用基波或谐波方式的晶体振荡器具有最好的相位噪声性能。采用锁相环合成器产生输出频率的振荡器比采用非锁相环技术的振荡器一般呈现较差的相位噪声性能。但相对的，拥有好的相位噪声和抖动的同时振荡器的设计复杂，体积大，频率低，造价高。实际上相位噪声和抖动是短期频率稳定度的度量，所以一般越高端的晶振，即频稳越好的晶振，这些指标也相应越好。
6、封装：
与其它电子元件相似，石英振荡器亦采用愈来愈小型的封装。通常，较小型的器件比较大型的表面贴装或穿孔封装器件更昂贵。所以，小型封装往往要在性能、输出选择和频率选择之间作出折衷。振荡器有插件(DIP)、贴片(SMD)封装，插件如长方形的DIP14封装，正方形的DIP8封装等，贴片有7.0*5.0、6.0*3.5mm，5.0*3.2mm，3.2*2.5mm，2.5*2.0mm等封装。
7、老化率：
随着时间的推移，频率值随着变化的大小，有年老化和日老化两种指标。
8、激励电平的影响
实际上，所有晶体元件的频率都在一定程度上随激励电平变化而变化(微量变化) ，一般来说，AT 切晶体的频率会随激励电平增大而略有升高。过高的激励电平会导致谐振器温度特性的畸变，并激活寄生模。过高的激励使晶体发热和应力过大，从而产生不可逆的频率漂移。
非常低的激励电平（数微瓦或更低）下，晶体元件的谐振电阻可能比在额定激励电平下电阻值高很多，以致使振荡器越振越困难。这种效应经过一段非工作状态的贮存后会加剧，这就是激励电平相关性（DLD ）。因此，晶体在电路中实际使用的激励电平不应过大和过小。
下面是IEC 推荐的激励功率的常用值。
2mw 、1mw 、0.1mw （100μw ）、0.05mw （50μw ）、0.02mw （20μw ）、0.01mw （10μw ）、0.001 mw(1μw)
优选值 5MHz以下 500μw ，以上一般 100μw 。
八.IC
电源IC 主要参数：输入电压，输出电压，输出电流，转换效率，使能电压，反馈电压，工作温度，存储温度等。还包括静态工作电压，谐振频率，关断输出电流，导通电阻R DS(ON)
其余IC 主要参数：工作电压，工作电流，工作温度，工作频率，最大消耗功率，元件封装等。